雪崩能量測試儀ITC55100【深圳市云帆興燁科技有限公司 :,:】ITC55100可以用來對功率MOSFET和IGBT的耐用性測試。它還能測試單,雙二極管,使用ITC55 RSF輸出選擇器盒還可以測量IGBT的正向和反向偏置。ITC5730半導體功率器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)??蓽y試N型、P型MOSFET,NPN和PNP Bipolar Transistor,IGBT的開關時間. Trr, Qrr 測試,柵極電荷測試。
雪崩能量測試儀ITC55100
測試模式
單脈沖松開電感的開關(UIS)
單脈沖雪崩應力(EAS)
重復性雪崩能量(EAR)
重復脈沖故障(RPF)
執(zhí)行的測試
連續(xù)性測試裝置的插座和/或接觸
DC零柵極偏置漏 - 源泄漏測試
- 前,后的雪崩
功能設備測試
雪崩測試
特點
單路/雙路設備測試
N溝道,P溝道,混合
全固態(tài)切換 - 無需繼電器
更快的測試
電流范圍:0.1A至200A,0.1A步驟
雪崩電壓至2500V
觸摸屏程序進入/控制
波形捕獲/顯示
內(nèi)部測試程序存儲(20個文件)
高速電感充電,減少了測試時間
可編程漏電測試電壓
前置/后置雪崩泄漏測試
雪崩折疊測試
多功能測試處理器控制
15硬件排序箱
改進的電壓/電流精度
通過Flash下載軟件更新
高速RS-485 PTNet接口
控制參數(shù)輸入密碼
使用所有ITC電感負載箱
接口與ITC55MUX4 ITC55 RSF
內(nèi)置自我測試