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在線式IGBT參數(shù)測(cè)試儀-華科智源

參考價(jià) 200
訂貨量 ≥1臺(tái)
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱深圳市華科智源科技有限公司
  • 品       牌其他品牌
  • 型       號(hào)HUSTEC-160
  • 所  在  地深圳市
  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間2020/10/29 10:45:57
  • 訪問次數(shù)837
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   深圳市華科智源科技有限公司,是一家專業(yè)從事功率半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)自主研發(fā)制造與綜合測(cè)試分析服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè),坐落于改革開放之都-中國深圳,核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件智能檢測(cè)準(zhǔn)備研制生產(chǎn),公司產(chǎn)品主要涉及SMT*檢測(cè)儀,MOS管直流參數(shù)測(cè)試儀,MOS管動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀,IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng),IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀,在線式檢修用IGBT測(cè)試儀,變頻器檢修用IGBT測(cè)試儀,IGBT模塊測(cè)試儀,軌道交通檢修用IGBT測(cè)試儀,風(fēng)力發(fā)電檢修用IGBT測(cè)試儀,產(chǎn)品以高度集成化、智能化、高速高精度、超寬測(cè)試范圍等競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),將廣泛應(yīng)用于IDM廠商、器件設(shè)計(jì)、制造、封裝廠商及高校研究所等;
    華夏神州,科技興國,智能創(chuàng)新,源遠(yuǎn)流長(zhǎng);華科智源公司 核心團(tuán)隊(duì)由華中科技大學(xué)等國內(nèi)高校研究所、行業(yè)應(yīng)用專家等技術(shù)人才組建,致力于中國功率半導(dǎo)體事業(yè),積極響應(yīng)國家提出的中國制造2025戰(zhàn)略,投身于半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備。
    深圳華科智源科技有限公司-,功率器件測(cè)試方案供應(yīng)商,2025中國制造 • 芯片設(shè)計(jì)及封裝 • 新能源及軌道交通 • 來料選型。

首件檢測(cè)儀,首件檢測(cè)系統(tǒng),SMT智能首件檢測(cè)儀,首樣檢測(cè),首板確認(rèn)
測(cè)量范圍 igbt mos bjt 測(cè)量精度 Vcesat Vgeth lces lges
外形尺寸 500(寬)x 450(深)x 250(高)cm;mm 用途 變頻器,風(fēng)電,軌道交通,電焊機(jī)等行業(yè)的在線檢修
重量 30kg
在線式IGBT參數(shù)測(cè)試儀-華科智源針對(duì) IGBT 的各種靜態(tài)參數(shù)而研制的智能測(cè)試系統(tǒng);自動(dòng)化程度高(按照操作人員設(shè)定的程序自動(dòng)工作),計(jì)算機(jī)可以記錄測(cè)試結(jié)果,測(cè)試結(jié)果可轉(zhuǎn)化為文本格式存儲(chǔ),測(cè)試方法靈活(可測(cè)試器件以及單個(gè)單元和多單元的模塊測(cè)試),安全穩(wěn)定(對(duì)設(shè)備的工作狀態(tài)進(jìn)行全程實(shí)時(shí)監(jiān)控并與硬件進(jìn)行互鎖),具有安全保護(hù)功能,測(cè)試速度方便快捷。
在線式IGBT參數(shù)測(cè)試儀-華科智源 產(chǎn)品信息

在線式IGBT參數(shù)測(cè)試儀-華科智源
IGBT綜合特性測(cè)試儀

一:主要特點(diǎn)
   在線式IGBT參數(shù)測(cè)試儀-華科智源可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試,還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊,大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管,MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試,測(cè)試1200A(可擴(kuò)展至1600A),5000V以下的各種功率器件,廣泛應(yīng)用于軌道交通,電動(dòng)汽車 ,風(fēng)力發(fā)電,變頻器,焊機(jī)行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析,設(shè)備還可以用于變頻器,風(fēng)電,軌道交通,電焊機(jī)等行業(yè)的在線檢修,無需從電路板上取下來進(jìn)行單獨(dú)測(cè)試,可實(shí)現(xiàn)完美的在線IGBT檢測(cè),測(cè)試方便,測(cè)試過程簡(jiǎn)單,既可以在測(cè)試主機(jī)里設(shè)置參數(shù)直接測(cè)試,又可以通過軟件控制主機(jī)編程后進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試,通過電腦操作完成 IGBT 的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試;

 

 

 

 









測(cè)試參數(shù):
ICES  集電極-發(fā)射極漏電流
IGESF 正向柵極漏電流  
IGESR 反向柵極漏電流
BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓
VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓
ICON 通態(tài)電極電流
VGEON 通態(tài)柵極電壓
VF 二極管正向?qū)▔航?
整個(gè)測(cè)試過程自動(dòng)完成,電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫管理查詢功能,可生成測(cè)試曲線,方便操作使用。
 
二:華科智源HUSTEC-1200A-MT大功率IGBT測(cè)試儀應(yīng)用范圍
AIGBT單管及模塊,
B大功率場(chǎng)效應(yīng)管(Mosfet)
C大功率二極管
D:標(biāo)準(zhǔn)低阻值電阻
E軌道交通,風(fēng)力發(fā)電,新能源汽車,變頻器,焊機(jī)等行業(yè)篩選以及在線故障檢測(cè)

  • 華科智源IGBT測(cè)試儀系統(tǒng)特征:

A:測(cè)量多種IGBT、MOS
B:大脈沖電流1200A,電壓5KV測(cè)試范圍廣;
C:脈沖寬度 50uS~300uS
D:Vce測(cè)量精度2mV
E:Vce測(cè)量范圍>10V
F:電腦圖形顯示界面
G:智能保護(hù)被測(cè)量器件
H:上位機(jī)攜帶數(shù)據(jù)庫功能
I:MOS IGBT內(nèi)部二極管壓降
J : 一次測(cè)試IGBT全部靜態(tài)參數(shù)
H: 生成測(cè)試曲線(IV曲線直觀看到IGBT特性,可以做失效分析以及故障定位)
 
華科智源IGBT測(cè)試儀針對(duì) IGBT 的各種靜態(tài)參數(shù)而研制的智能測(cè)試系統(tǒng);自動(dòng)化程度高(按照操作人員設(shè)定的程序自動(dòng)工作),計(jì)算機(jī)可以記錄測(cè)試結(jié)果,測(cè)試結(jié)果可轉(zhuǎn)化為文本格式存儲(chǔ),測(cè)試方法靈活(可完美測(cè)試器件以及單個(gè)單元和多單元的模塊測(cè)試),安全穩(wěn)定(對(duì)設(shè)備的工作狀態(tài)進(jìn)行全程實(shí)時(shí)監(jiān)控并與硬件進(jìn)行互鎖),具有安全保護(hù)功能,測(cè)試速度方便快捷。
 
測(cè)試原理圖

3.1  IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試部分

 
                      

在線式IGBT測(cè)試儀接線示意圖

特征曲線舉例:
Vce-IC特征曲線
 
 
Vgth-Vce特征曲線

軟件測(cè)試界面
華科智源IGBT測(cè)試儀制造標(biāo)準(zhǔn)
華科智源IGBT測(cè)試儀HUSTEC-1200A-MT除滿足本技術(shù)規(guī)格書的要求外,在其設(shè)計(jì)、制造、試驗(yàn)、檢定等制程中還應(yīng)滿足以下標(biāo)準(zhǔn)的版本。
GB/T 29332-2012 半導(dǎo)體器件分立器件第9 部分:絕緣柵雙極晶體管(IGBT
GB 13869-2008 用電安全導(dǎo)則
GB19517-2004 國家電器設(shè)備安全技術(shù)規(guī)范
GB 4208-2008 外殼防護(hù)等級(jí)(IP 代碼)(IEC 605292001,IDT
GB/T 191-2008 包裝儲(chǔ)運(yùn)圖示標(biāo)志
GB/T 15139-1994 電工設(shè)備結(jié)構(gòu)總技術(shù)條件
GB/T 2423 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)
GB/T 3797-2005 電氣控制設(shè)備
GB/T 4588.3-2002 印制板的設(shè)計(jì)和使用
GB/T 9969-2008 工業(yè)產(chǎn)品使用說明書總則
GB/T 6988-2008 電氣技術(shù)用文件的編制
GB/T 3859.3 半導(dǎo)體變流器變壓器和電抗器
GB/T 4023-1997 半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第2 部分:整流二極管

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