SIC碳化硅器件參數(shù)測(cè)試儀-華科智源
ITC57300是美國(guó)ITC公司設(shè)計(jì)生產(chǎn)的高集成度功率半導(dǎo)體分立器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備，采用測(cè)試主機(jī)+功能測(cè)試頭+個(gè)性板的測(cè)試架構(gòu)，可以滿足N溝道、P溝道器件、雙極晶體管等的各項(xiàng)動(dòng)態(tài)參數(shù)的測(cè)試要求，且具有波形實(shí)時(shí)顯示分析功能，是目前具水平的完備可靠的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備。
ITC57300動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)主機(jī)可執(zhí)行非破壞性的瞬態(tài)測(cè)量測(cè)試，包括對(duì)半導(dǎo)體器件絕緣柵雙極晶體管（IGBT），功率MOSFET，二極管，雙極型器件的測(cè)試頭。主機(jī)包括所有測(cè)試設(shè)備和必要的軟件分析，可執(zhí)行電阻和電感的開(kāi)關(guān)時(shí)間，開(kāi)關(guān)損耗，柵極電荷，TRR /的Qrr和其他瞬態(tài)測(cè)試。
ITC57300能力
- 測(cè)試電壓：大1200 VDC 200（短路電流可達(dá)1000A）
- 定時(shí)測(cè)量：為1 ns
- 漏電流限制監(jiān)視器
- - MOSFET開(kāi)關(guān)時(shí)間測(cè)試， Max VDD =1.2KV,0.1V Steps
- MOSFET,Diodes Qrr/Trr反向恢復(fù)時(shí)間測(cè)試，Max VDD=1.2KV, 0.1V Steps
- Qrr range：1nc~100uc，Trr range：10ns~2us
- MOSFET柵電荷Qg測(cè)試，Max VDD =1.2KV,0.1V Steps
- IGBT感性開(kāi)關(guān)時(shí)間測(cè)試，Max VDD =1.2KV,0.1V Steps，Inductors range：0.1mH~159.9mH
- IGBT短路耐量測(cè)試，Max ISC=1000A
測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)：
- MIL-STD-750 Series
ITC57300mos管IGBT功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀選項(xiàng)
- 額外的電源供應(yīng)器
- 額外的測(cè)試頭
- 大包裝適配器
ITC57300mos管IGBT功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀測(cè)試頭
- ITC57210 - N-通道和P-通道功率MOSFET，MIL-STD-750方法3472開(kāi)關(guān)時(shí)間
- ITC57220 - TRR /電源，MOSFET和二極管的Qrr，MIL-STD-750方法，3473
- ITC57230 - 柵極電荷功率MOSFET，MIL-STD-750方法3471
- ITC57240 - 電感式開(kāi)關(guān)時(shí)間為IGBT，MIL-STD 750方法3477
- ITC57250 - （ISC）短路耐受時(shí)間，MIL-STD-750方法3479
ITC57300mos管IGBT功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)特點(diǎn)
- 很容易改變的測(cè)試頭
- 在不同參數(shù)的自動(dòng)化測(cè)試
- 堅(jiān)固耐用的PC兼容計(jì)算機(jī)
- 用戶(hù)友好的菜單驅(qū)動(dòng)軟件
- 可編程測(cè)試出紙槽
- 電子表格兼容的測(cè)試數(shù)據(jù)
- 可選內(nèi)部電感負(fù)載
- GPIB可編程測(cè)試設(shè)備
- 四通道高帶寬數(shù)字示波器
- 脈沖發(fā)生器
- 1200V電源
ITC57300mos管IGBT功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀安全特性
- 測(cè)試頭高電壓互鎖
- 接收端的高電壓互鎖
- 高速漏極供電開(kāi)關(guān)
ITC57210 開(kāi)關(guān)時(shí)間測(cè)試頭
此測(cè)試頭以美軍標(biāo) MIL-STD-750, Method 3472，驗(yàn)證功率器件MOSFETs,P溝道和N溝道的開(kāi)關(guān)時(shí)間。所測(cè)量的參數(shù)包括 ：Time Delay On [td(on)],Rise Time(tr),Time Delay Off [td(off)],Fall Time(tf)
SIC碳化硅器件參數(shù)測(cè)試儀-華科智源
首先，驅(qū)動(dòng)電路中的電感電流上升，電流升到所設(shè)定的值時(shí)，電源會(huì)被切開(kāi)。電感內(nèi)的的電流會(huì)通過(guò)被測(cè)器件中的二極管排放。經(jīng)過(guò)一段短時(shí)間后，驅(qū)動(dòng)器再次啟動(dòng)，致使器件中的二極管經(jīng)歷反向恢復(fù)動(dòng)作。由此所捕捉到的波形經(jīng)過(guò)分析后便能取得反向恢復(fù)時(shí)間，電流和累積電荷等數(shù)據(jù)。
ITC57230 柵電荷測(cè)試頭
ITC57230對(duì)功率器件MOSFETs的柵電荷能力以美軍標(biāo)MIL-STD-750, Method 3471進(jìn)行考驗(yàn)。
先給MOSFET管的柵極加電壓，在柵極打開(kāi)時(shí)，把一個(gè)恒電流，高阻抗的負(fù)載接到MOSFTE管的漏極。
當(dāng)漏極電流攀爬到用戶(hù)設(shè)定的數(shù)值時(shí)，被測(cè)器件的柵電荷可通過(guò)向漏極導(dǎo)通可編程恒流源放電（或P溝道器件，向源極導(dǎo)通）。通過(guò)監(jiān)視柵電壓和波形下各部分的面積便可計(jì)算出電荷量。
ITC57240 感性負(fù)載開(kāi)關(guān)時(shí)間測(cè)試頭
ITC57240測(cè)試頭以美軍標(biāo)MIL-STD-750, Method 3477的定義，實(shí)行感性負(fù)載開(kāi)關(guān)時(shí)間測(cè)試。
IGBT驅(qū)動(dòng)器會(huì)在電感圈內(nèi)產(chǎn)生測(cè)試電流。當(dāng)斷開(kāi)時(shí)，電流會(huì)通過(guò)寄生(齊納)二極管。在這瞬間，打開(kāi)和關(guān)閉DUT器件開(kāi)始對(duì)開(kāi)關(guān)時(shí)間和開(kāi)關(guān)能量進(jìn)行測(cè)試。當(dāng)它開(kāi)關(guān)時(shí)，DUT器件能觀察到流入電感圈里的測(cè)試電流和橫跨齊納二極管的電壓，而不受續(xù)流二極管所產(chǎn)生的任何反向恢復(fù)因素所影響。
ITC57250 短路耐量測(cè)試頭
ITC57250以美軍標(biāo)MIL-STD-750, Method 3479的定義，實(shí)行短路耐抗時(shí)間測(cè)試。
在某些電路，如馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路，半導(dǎo)體器件須有能力抗衡并頂住短時(shí)間的短路狀況。此測(cè)試就是用于驗(yàn)證器件在短路情況下所能承受的耐抗時(shí)間。器件內(nèi)的電流是取決于器件的放大值(gain)和所使用的驅(qū)動(dòng)脈寬。
ITC57260 結(jié)電容/柵極等效電阻測(cè)試頭 Rg, Ciss, Coss & Crss
此測(cè)試頭應(yīng)用頻率掃描和固定電感圈，找出所形成的RLC電路的共振點(diǎn)然后進(jìn)行對(duì)功率器件MOSFET的柵極電阻測(cè)量。它同時(shí)也測(cè)量器件的輸入電容(Ciss),輸出電容(Coss)和反向電容(Crss).
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