產(chǎn)品簡介：VTC-16-D小型直流磁控等離子濺射儀靶頭尺寸為2英寸，樣品臺與濺射頭之間的高度在30-80mm之間可以調(diào)節(jié)。安裝有一可手動操作的濺射擋板，可進行預濺射。濺射頭對樣品的濺射時間在1-120s之間可調(diào)，若想獲得薄的薄膜，濺射時間可以設(shè)置短一點；若想獲得厚的薄膜，濺射時間可以長一點。VTC-16-D小型直流磁控等離子濺射儀設(shè)計主要是制作一些金屬薄膜，制膜面積可達到4英寸。設(shè)備外形小巧，性價比高，是制作各種金屬薄膜理想的鍍膜設(shè)備，可選配各種金屬靶材和真空泵搭配設(shè)備使用。
| 產(chǎn)品型號 | VTC-16-D小型直流磁控等離子濺射儀 | |||||||||||||||
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主要特點 | 1、特別為SEM樣品鍍導電性薄膜設(shè)計。 2、體積小巧，操作簡單，容易上手。 3、擁有小型磁控靶頭，可以鍍金銀鉑等金屬。 | |||||||||||||||
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技術(shù)參數(shù) | 1、輸入電源：220V AC 50/60Hz 2、功率：200W 3、輸出電壓：500 VDC 4、濺射電流：0-50 mA可調(diào) 5、濺射時間：0-120S可調(diào) 6、濺射腔體 1）采用石英腔體，尺寸：166 mm OD x 150 mm ID x 150 mm H 2）密封：采用不銹鋼平法蘭的O形密封圈 7、濺射頭&樣品臺 l）濺射頭可安裝靶材直徑為2英寸，厚度0.1 - 2.5mm 2）濺射時間1-120S可調(diào) 3）儀器中安裝有直徑為50mm的不銹鋼樣品臺，其與濺射頭之間距離30-80mm可調(diào)。 4）可選購加熱型樣品臺，其加熱溫度為500℃ 5）安裝有一可手動操作的濺射擋板，可進行預濺射 6）可制膜的直徑為:4英寸（僅供參考，詳情請點擊）
8、真空系統(tǒng) l）安裝有KF25真空接口 2）數(shù)字真空壓力表（Pa） 3）此系統(tǒng)可通入氣體運行 4）< 1.0E-2 Torr （采用機械泵） 5）< 1.0E-5 Torr（采用渦旋分子泵） 9、進氣 l）設(shè)備上配1/4英寸進氣口，方便連接氣瓶 2）設(shè)備前面板上裝有一氣流調(diào)節(jié)旋鈕，方便調(diào)節(jié)氣流 10、靶材 l）靶材尺寸要求：Φ50mm×(0.1 - 2.5) mm(厚度) 2）設(shè)備標配為銅靶 11、產(chǎn)品外型尺寸 L460 mm × W 330 mm × H 540 mm
凈重：20 kg（不包括泵） | |||||||||||||||
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可選 | 1、可在本公司選購各種靶材 對于濺射各種金屬靶材，需要摸索的濺射參數(shù)，下表是本公司實驗所設(shè)置的參數(shù)，歡迎您帶料來科晶實驗室摸索工藝（僅供參考）
2、可在本公司選購各種真空泵
3、可在本公司選購薄膜測厚儀安裝在濺射儀上
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| 質(zhì)量認證 | CE認證 | |||||||||||||||
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質(zhì)保期
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一年保修，終身技術(shù)支持。 特別提示：1.耗材部分如加熱元件，石英管，樣品坩堝等不包含在內(nèi)。 2.因使用腐蝕性氣體和酸性氣體造成的損害不在保修范圍內(nèi)。 | |||||||||||||||
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使用提示
| l、有時為了達到理想的薄膜厚度，可能需要多次濺射鍍膜 2、在濺射鍍膜前，確保濺射頭、靶材、基片和樣品臺的潔凈 3、要達到薄膜與基底良好結(jié)合，請在濺射前清潔基材表面 4、超聲波清洗（詳細參數(shù)點擊下面圖片）：（1）丙酮超聲，（2）異丙醇超聲-去除油脂，（3）吹氮氣干燥，（4）真空烘箱除去水分。 5、等離子清洗（詳細參數(shù)點擊下面圖片）：可表面粗糙化，可激活表面化學鍵，可祛除額外的污染物。 6、制造一個薄的緩沖層（5納米左右）：如Gr，Ti，Mo，Ta，可以應用于改善金屬和合金的附著力。 7、請使用>5N純度氬氣等離子體濺射 8、濺射鍍膜機可以放入Ar或N2氣體手套箱中濺射 9、由于能量低，該模型不適用于涂層的輕金屬材料如Al，Mg，Zn，Ni。請考慮我們的磁控濺射鍍膜機或熱蒸發(fā)鍍膜機。
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警告 |
注意：產(chǎn)品內(nèi)部安裝有高壓元件，禁止私自拆裝，帶電移動機體。 氣瓶上應安裝減壓閥（不包括），保證氣體的輸出壓力限制在0.02兆帕以下，以安全使用。 濺射頭連接到高電壓。 為了安全，操作者必須在關(guān)閉設(shè)備前裝樣和更換靶頭。 |
