高溫納米壓痕儀二級真空平臺
優(yōu)點:
采用主動參比技術,極大降低 了熱漂移;
(400 °C下,小于 10 nm/min )
的材料設計,無熱膨脹;
兩套獨立的載荷位移傳感器;
采用熱量反射屏蔽罩設計及壓痕測量水循環(huán)冷卻系統(tǒng);
高的框架剛度 (大于 10 8 N/m);
集成真空腔,允許測試樣品的真空度可達到5 x 10 -7 mbar。
技術參數(shù):
HT-UNHT超納米壓痕儀可選擇兩種不同范圍的加熱平臺。

UNHT超納米壓痕儀
載荷范圍 100 mN
載荷分辨率 0.001uN
加載速率 10’000 mN/min
保載時間 無限制
位移 100um
位移分辨率 0.0003 nm

400°C加熱臺 200°C加熱臺
加熱速度: 0.1°C/min 到 90°C/min 加熱速度: 0.1°C/min 到 90°C/min
溫度穩(wěn)定性 : 小于0.1°C 溫度穩(wěn)定性 : 小于0.1°C
樣品尺寸: 25 mm圓盤 樣品尺寸: 25 mm x 50 mm
優(yōu)點:
采用主動參比技術,極大降低 了熱漂移;
(400 °C下,小于 10 nm/min )
的材料設計,無熱膨脹;
兩套獨立的載荷位移傳感器;
采用熱量反射屏蔽罩設計及壓痕測量水循環(huán)冷卻系統(tǒng);
高的框架剛度 (大于 10 8 N/m);
集成真空腔,允許測試樣品的真空度可達到5 x 10 -7 mbar。
技術參數(shù):
HT-UNHT超納米壓痕儀可選擇兩種不同范圍的加熱平臺。

UNHT超納米壓痕儀
載荷范圍 100 mN
載荷分辨率 0.001uN
加載速率 10’000 mN/min
保載時間 無限制
位移 100um
位移分辨率 0.0003 nm

400°C加熱臺 200°C加熱臺
加熱速度: 0.1°C/min 到 90°C/min 加熱速度: 0.1°C/min 到 90°C/min
溫度穩(wěn)定性 : 小于0.1°C 溫度穩(wěn)定性 : 小于0.1°C
樣品尺寸: 25 mm圓盤 樣品尺寸: 25 mm x 50 mm