測量技術：可調(diào)諧半導體激光吸收光譜（TDLAS）技術

          紫外差分吸收光譜 （DOAS）技術+氧化鋯

量程范圍：NH₃：0～10～1000ppm

          NO：0～50～5000ppm  

          O₂：0～25%

線性誤差：≤±1%F.S.

重復性：≤1%

響應時間：＜90s（T90）

零點漂移：≤±1%F.S./半年

量程漂移：≤±1%F.S./半年

模擬量輸出：5路4-20mA輸出

模擬量輸入：3路4-20mA輸入

數(shù)字通訊：RS485/RS232/GPRS

檢測下限：0.1ppm（10m光程）

吹掃氣源：（0.4～0.8）MPa氮氣、凈化儀表空氣