關(guān)鍵參數(shù)特征
- 功能強(qiáng)大的SEM電子光學(xué)系統(tǒng),采用高亮度的Schottky發(fā)射器為電子源,具有束流大,噪點(diǎn)低,非凡的成像能力等特點(diǎn)
- In-Beam探測器能夠確保在極小的工作距離下仍能收集信號,進(jìn)行高品質(zhì)成像
- 采用Xe等離子體源的超快速FIB系統(tǒng)。 束流大,具有驚人的離子束切割速度,因此在切除大體積塊狀材料時(shí)卓有成效;
- 同時(shí)較低的離子束流便于完成樣品表面拋光
- 電子束減速技術(shù)(BDT)助力于進(jìn)行超低著陸電壓下的成像
- 隔離材料的植入、摻雜或降解更少,這點(diǎn)對于半導(dǎo)體行業(yè)相當(dāng)重要
- SEM與 FIB兩系統(tǒng)互補(bǔ),即使用FIB進(jìn)行樣品切割或沉積時(shí),可同時(shí)進(jìn)行SEM成像拍照
- TESCAN電鏡的各種自動(dòng)化操作技術(shù),如In-Flight Beam TracingTM技術(shù)可通過計(jì)算精確的調(diào)節(jié)高分辨率成像所需的參數(shù)設(shè)置
- (例如工作距離WD、放大倍率等)
- DrawBeam 軟件模塊是一個(gè)便于進(jìn)行圖案設(shè)計(jì)的工具,3D功能亦很強(qiáng)大,使用它可在FIB切割或粒子束蝕刻等過程可實(shí)時(shí)獲取圖像
- 為3D EDX及3D EBSD等三維顯微分析技術(shù)帶來全新的解決方案
- 集成了飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜(TOF-SIMS)與 掃描探針顯微技術(shù),可擴(kuò)展的大樣品室,使用戶能夠進(jìn)行6’’、8’’ and 12’’ 的晶片光刻檢驗(yàn),
- 12’’ 晶片光刻檢驗(yàn)是TESCAN電鏡的技術(shù)能力
- 氣體注入系統(tǒng) (GIS) 有助于使FIB完成更多應(yīng)用
- 高性能的電子成像能力,其成像速率可高達(dá)20 ns/pxl, 同時(shí)具備出色的沉積速率及超快的掃描速度
- 渦輪分子泵及前級泵的高效能有利于保持樣品室的清潔度;電子槍通過離子吸氣泵獲得真空