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高阻抗本征硅高阻硅片高阻抗本征硅基片高阻抗硅窗片高阻硅窗片

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高阻抗本征硅高阻硅片高阻抗本征硅基片高阻抗硅窗片高阻硅窗片

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除了人造金剛石，高阻抗的本征硅（高阻硅）材料是適合極寬范圍從(1.2 µm) 到mm (1000 µm甚至8000 µm)波的各項同性晶體材料。和鉆石相比，它要便宜的多，并且生長制造更容易。而且他尺寸更大，更容易制造，THz技術的快速發(fā)展，就基于該優(yōu)點。對于THz應用，我們提供在1000 µm (對于更長波長，3000甚至8000微米)透過率達到50-54%的High Resistivity Float Zone Silicon (HRFZ-Si)。高阻抗浮區(qū)本征硅材料，和相關光學元件。

合成電解質硅的介電常數(shù)由傳導率決定（例如：自由電子-載流子濃度）。圖3顯示的是在1THz下，不同純度下的硅的介電常數(shù).低摻雜的介電常數(shù)接近真實值，大約等于高頻介電常數(shù)。隨著摻雜濃度的提高，真實的介電常數(shù)將變成負數(shù)，而且不能被忽略。介電常數(shù)表征的是THz波的傳輸損耗特性。損耗系數(shù)可以用下面的公式計算：tanδ=1/(ω*εv*ε0*R), 這里 ω – 圓頻率, εv – 真空下的介電常數(shù)（8.85*10-12 F/m）。ε0 –硅的介電常數(shù)(11.67), R是電阻值。例如，1THz下，10 kOhm 阻值的HRFZ-Si損耗系數(shù)為1.54*10-5。