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薄膜應(yīng)力測(cè)試儀

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更新時(shí)間：2022-10-30 15:13:10瀏覽次數(shù)：869次

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薄膜應(yīng)力測(cè)試儀

詳細(xì)介紹

詳細(xì)說(shuō)明：

薄膜應(yīng)力測(cè)量系統(tǒng)（kSA MOS Film Stress Measurement System），又名薄膜應(yīng)力計(jì)或薄膜應(yīng)力儀！
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采用非接觸MOS激光技術(shù)；不但可以精確的對(duì)樣品表面應(yīng)力分布進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析，而且還可以進(jìn)行樣品表面二維應(yīng)力、曲率成像分析；并且這種設(shè)計(jì)始終保證所有陣列的激光光點(diǎn)始終在同一頻率運(yùn)動(dòng)或掃描，從而有效的避免了外界振動(dòng)對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響；同時(shí)大大提高了測(cè)試的分辨率；適合各種材質(zhì)和厚度薄膜應(yīng)力分析；

典型用戶：Harvard University 2套，Stanford University，Johns Hopkins University，Brown University 2套，Karlsruhe Research Center,Max Planck Institute，西安交通大學(xué)，中國(guó)計(jì)量科學(xué)研究院等、半導(dǎo)體制和微電子造商（如IBM.，Seagate Research Center,Phillips Semiconductor,NEC，Nissan ARC,Nichia Glass Corporation）等；

相關(guān)產(chǎn)品：
*實(shí)時(shí)原位薄膜應(yīng)力儀（kSA MOS Film Stress Tester）：同樣采用多光束MOS技術(shù)，可裝在各種真空沉積設(shè)備上（如：MBE, MOCVD, sputtering, PLD, PECVD, and annealing chambers ects），對(duì)于薄膜生長(zhǎng)過(guò)程中的應(yīng)力變化進(jìn)行實(shí)時(shí)原位測(cè)量和二維成像分析；
*薄膜熱應(yīng)力測(cè)量系統(tǒng)（kSA MOS Thermal-Scan Film Stress Tester）

技術(shù)參數(shù)：
kSA MOS Film Stress Tester, kSA MOS Film Stress Measurement System，kSA MOS Film Stress Mapping System;
1.XY雙向程序控制掃描平臺(tái)掃描范圍：300mm (XY)（可選）；
2.XY雙向掃描速度：20mm/s；
3.XY雙向掃描平臺(tái)掃描最小步進(jìn)/分辨率：2 μm ；
4.樣品holder兼容：50mm, 75mm, 100mm, 150mm, 200mm, and 300mm直徑樣品；
5.程序化控制掃描模式：選定區(qū)域、多點(diǎn)線性掃描、全面積掃描；
6.成像功能：樣品表面2D曲率、應(yīng)力成像，及3D成像分析；
7.測(cè)量功能：曲率、曲率半徑、應(yīng)力強(qiáng)度、應(yīng)力、Bow和翹曲等；

主要特點(diǎn)：
1.程序化控制掃描模式：?jiǎn)吸c(diǎn)掃描、選定區(qū)域、多點(diǎn)線性掃描、全面積掃描；
2.成像功能：樣品表面2D曲率成像，定量薄膜應(yīng)力2D成像分析；
3.測(cè)量功能：薄膜應(yīng)力、翹曲、曲率半徑等；
4.支持變溫?zé)釕?yīng)力測(cè)量功能，溫度范圍-65C to 1000C；
5.薄膜殘余應(yīng)力測(cè)量；

實(shí)際應(yīng)用：