原理:
在磁控濺射中,由于運(yùn)動電子在磁場中受到洛侖茲力,它們的運(yùn)動軌跡會發(fā)生彎曲甚至產(chǎn)生螺旋運(yùn)動,其運(yùn)動路徑變長,因而增加了與工作氣體分子碰撞的次數(shù),使等離子體密度增大,從而磁控濺射速率得到很大的提高,而且可以在較低的濺射電壓和氣壓下工作,降低薄膜污染的傾向;另一方面也提高了入射到襯底表面的原子的能量,因而可以在很大程度上改善薄膜的質(zhì)量。同時,經(jīng)過多次碰撞而喪失能量的電子到達(dá)陽極時,已變成低能電子,從而不會使基片過熱。
參數(shù):
?主機(jī)規(guī)格:300mm×360mm×380mm(W×D×H)
?靶(上部電極):金:50mm×0.1mm(D×H)
?靶材:Au(標(biāo)配)
?樣品室:玻璃腔體160mm×120mm(D×H)
?靶材尺寸:Ф50mm
?高真空度:≤ 4X10-2 mbar
?大電流:100mA
?定時器:數(shù)碼計(jì)時 0-999S
?鍍膜面積:50mm
?微型真空氣閥:可連接φ3mm軟管
?可通入氣體:多種
?高電壓:-1600 DCV
?機(jī)械泵:標(biāo)準(zhǔn)配置2L/S(國產(chǎn)VRD-8)
?冷卻方式:冷水機(jī)(可根據(jù)實(shí)驗(yàn)具體要求自備)
?速率:0--60nm/min
用途:
1、適用于電鏡實(shí)驗(yàn)室的掃描電子顯微鏡(SEM)觀察前對樣品的噴金、噴鉑。
2、非導(dǎo)體材料實(shí)驗(yàn)電極制作(噴金、噴鉑。噴銀等)
3、其他可以滿足條件的鍍膜實(shí)驗(yàn)。
特點(diǎn):
1、成膜速率高。
2、基片溫度低,可以對溫度敏感的材料進(jìn)行鍍膜。
3、可實(shí)現(xiàn)大面積鍍膜。
4、可調(diào)節(jié)濺射電流和真空室壓強(qiáng)以控制鍍膜的速率和顆粒的大小,顆粒大小約4-20nm。
5、SETPLASMA手動啟動按鈕可預(yù)先設(shè)置好壓強(qiáng)和濺射電流避免對膜造成不必要的損傷。
6、真空保護(hù)可避免真空過低造成設(shè)備短路。
7、同時可以通過換不同的靶材(金、鉑、銥、銀、銅等),以達(dá)到細(xì)顆粒的涂層。
8、通過通入不同的惰性氣體以達(dá)到純凈的涂層