Optogama提供4Lasers品牌的光折變晶體 BSO,F(xiàn)e:LiNbO3,SBN,BGO晶體主要用于開發(fā)光折變效應(yīng)的應(yīng)用。光折變效應(yīng)是一種通過光強的空間變化來改變局部折射率的現(xiàn)象。在光折變材料中,當(dāng)相干光相互干擾時觀察到,光折變材料形成了空間變化的照明模式。這種效果可以用來存儲臨時的、可擦除的全息圖,也稱為全息數(shù)據(jù)存儲。它也可以用來制造相位共軛鏡或光學(xué)空間孤子。
硅酸鉍(Bi)12SiO20,bso)晶體是一種高效率的光導(dǎo)材料,暗導(dǎo)率低,允許大量的光誘導(dǎo)空間電荷的積累。巨大的光電導(dǎo)性和電光特性提高了BSO晶體的應(yīng)用范圍:空間光調(diào)制器、光開關(guān)、相位共軛混合器。Optogama用改進的Czochralski法生長了BSO晶體,其孔徑可達3英寸。
鈮酸鋰(LiNbO)3摻雜鐵(Fe:LiNbO)的LN晶體3)具有高的光折變靈敏度、高的電光系數(shù)和衍射效率、化學(xué)力學(xué)性能,是一種很有吸引力的光折變材料。Fe:LiNbO3晶體采用Czochralsky法生長,尺寸大。廣泛的可用摻雜劑和水平可以調(diào)整特定應(yīng)用的材料性能。更重要的是,F(xiàn)e:Linbo3晶體操作方便,成本低,適合批量生產(chǎn)。
SBN晶體晶體具有優(yōu)良的光學(xué)和光折變性能。它們表面上是純的,被Ce,Cr,Co或Fe摻雜。不同成分的SBN晶體在電光、聲光、光折變、非線性光學(xué)等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。包裹體和其它非均勻性SBN晶體,采用改進的Stepanov法生長,線性尺寸可達40 mm。
鍺酸鉍(Bi12GeO20,BGO)晶體是具有低暗電導(dǎo)率的高效光電導(dǎo)體,可以積累大量光致空間電荷。
光折變晶體 BSO,F(xiàn)e:LiNbO3,SBN,BGO晶體
硅酸鉍晶體主要特點:
-高電光系數(shù)(r41=5pm/v)
-高相位共軛效率
-可在3“以下的大尺寸元件或晶片中使用。
-可根據(jù)要求定制
BSO晶體主要應(yīng)用:
-空間光調(diào)制器
-光開關(guān)
-相位共軛混合器。
BSO晶體的技術(shù)特性:
化學(xué)公式 | Bi12SiO20 |
晶體結(jié)構(gòu) | 立方體,點編組23 |
晶格參數(shù) | 10.10 a |
密度 | 9.2克/cm3 |
Mohs硬度 | 5 |
透明度范圍 | 0.45-6μm |
折射率 | 2.5 |
光學(xué)活性 | 42deg/mm |
電光系數(shù) | r41 = 5 pm/V |
介電常數(shù)(低頻) | 56 |
暗電阻 | 1014 Ohm cm |
BSO晶體的產(chǎn)品規(guī)格:
透明孔徑 | 85 % |
面尺寸公差 | +0/-0.2毫米 |
厚度公差 | ±0.2毫米 |
平行度誤差 | <30 arcsec |
保護槽 | <0.3 mm at 45° |
表面質(zhì)量 | 40-20 S-D |
波前畸變 | <λ/4@6328 nm |
涂層 | 無涂層 |
硅酸鉍晶體產(chǎn)品型號
SKU | 面尺寸 | 厚度 | 定向 | 價格(RMB) |
1558 | 30×30毫米 | 1.0毫米 | [110] | 5500 |
6880 | 20x20毫米 | 1.0毫米 | [110] | 4500 |
6881 | 20x20毫米 | 1.0毫米 | [100] | 4500 |
6882 | 10x10毫米 | 5毫米 | [110] | 6500 |
6883 | 10x10毫米 | 5毫米 | [100] | 6500 |
6884 | 5x5毫米 | 5毫米 | [110] | 4800 |
6885 | 5x5毫米 | 5毫米 | [100] | 4900 |
9095 | 30×30毫米 | 1.5毫米 | [110] | 5600 |
鈮酸鋰晶體主要特點:
-高電光系數(shù)(r41=5pm/v)
-高相位共軛效率
-可在3“以下的大尺寸元件或晶片中使用。
-可根據(jù)要求定制
LiNbO3晶體的主要應(yīng)用:
-空間光調(diào)制器
-光開關(guān)
-全息記錄
-光波導(dǎo)
LiNbO3晶體技術(shù)特性:
化學(xué)公式 | Fe:LiNbO3 |
晶體結(jié)構(gòu) | 三角形,3m |
密度 | 4.64克/cm3 |
Mohs硬度 | 5 |
透明度范圍 | 0.35-5.5μm |
折射率@0,63μm | ne = 2.20, no = 2,29 |
電光系數(shù) | r22 = 6,8 pm/V,r31 = 10 pm/V,r33 = 32 pm/V |
介電常數(shù) | e11 = 85,e33 = 30 |
鈮酸鋰晶體產(chǎn)品規(guī)格:
Fe2O3 | 0.1 mol. %,0.05 mol. %,0.03 mol. %,0.02 mol. % |
定向 | 90°切割(X-切割,Y-切割) |
透明孔徑 | 85 % |
面尺寸公差 | +0/-0.2毫米 |
厚度公差 | ±0.2毫米 |
平行度誤差 | <3 arcmin |
保護槽 | <0.3 mm at 45° |
表面質(zhì)量 | 20-10 S-D |
波前畸變 | <λ/4@6328 nm |
涂層 | 無,可根據(jù)要求提供抗反射或銦錫氧化物涂層 |
電極 | 無,可根據(jù)要求提供 |
鈮酸鋰晶體產(chǎn)品型號:
SKU | 面尺寸 | 長度 | 摻雜水平 | 價格(RMB) |
4052 | 10x10毫米 | 5毫米 | 0,05%Fe2O3 | 請求 |
6457 | 10x10毫米 | 5毫米 | 0,02%Fe2O3 | 請求 |
6458 | 10x10毫米 | 5毫米 | 0,03%Fe2O3 | 請求 |
7005 | 10x10毫米 | 5毫米 | 0,1%Fe2O3 | 請求 |
7006 | 10x10毫米 | 1毫米 | 0,02%Fe2O3 | 4000 |
7007 | 10x10毫米 | 1毫米 | 0,03%Fe2O3 | 4000 |
7008 | 10x10毫米 | 1毫米 | 0,05%Fe2O3 | 4000 |
7009 | 10x10毫米 | 1毫米 | 0,1%Fe2O3 | 4000 |
7010 | 20x20毫米 | 1毫米 | 0,02%Fe2O3 | 請求 |
7011 | 20x20毫米 | 1毫米 | 0,03%Fe2O3 | 請求 |
7012 | 20x20毫米 | 1毫米 | 0,05%Fe2O3 | 請求 |
7013 | 20x20毫米 | 1毫米 | 0,1%Fe2O3 | 請求 |
SBN晶體的主要特點:
-Ce,Cr,Co,F(xiàn)e純摻雜
-有效相位共軛
-定制尺寸,摻雜水平,無極化,減反射涂層和沒有電極晶體可根據(jù)要求
SBN晶體的主要應(yīng)用:
-光學(xué)信息記錄
-熱釋電探測器
-自泵浦自共軛鏡
-光學(xué)相關(guān)器
SBN晶體的技術(shù)特性:
構(gòu)圖 | SBN:61 | SBN:75 |
晶體結(jié)構(gòu) | 四邊形,4毫米 | 四邊形,4毫米 |
晶格參數(shù) | a = 12,46 Å, c = 3,946 Å | a = 12,43024 Å, c = 3,91341 Å |
密度 | 5,4 g/cm3 | 5,4 g/cm3 |
Mohs硬度 | 5.5 | 5.5 |
熔化溫度 | 1480°C | 1480°C |
居里溫度 | 75°C | 56℃ |
透光度范圍 | 0.45-5.5μm | 0.4-5.5μm |
折射率@633 nm | no = 2.3103,ne = 2.2817 | no = 2.3117,ne = 2.2987 |
Δn@633 nm | -0.0286 | -0.0130 |
傳動 | 0.45-5.5μm | 0.4-5.5μm |
半波電壓(λ/2) | 240 V | 60V |
介電常數(shù)(T=293 K) | 900 | 340 |
電光系數(shù) | R13=45 pm/V,R33=250 pm/V | R13=65 pm/V,R33=740 pm/V,r42=40 pm/V |
熱釋電系數(shù) | 0.065μC×cm-2×K-1 | 0.28μC×cm-2×K-1 |
介電常數(shù) | 880 | 3400 |
SBN晶體的產(chǎn)品規(guī)格:
定向 | 沿四方軸的短邊 |
波林 | 極化 |
電極 | 碳水電極 |
透明孔徑 | 85% |
面尺寸公差 | +0/-0.2毫米 |
厚度公差 | ±0.2毫米 |
平行度誤差 | <30 arcsec |
保護槽 | <0.1 mm at 45° |
表面質(zhì)量 | 20-10 S-D通過透明光圈,60-40 S-D其他表面 |
表面平整度 | <λ/4@6328 nm |
涂層 | 無涂層 |
SBN晶體的產(chǎn)品型號:
SKU | 材料 | 面尺寸 | 長度 | 摻雜 | 價格(RMB) |
6940 | SBN:61 | 5x5毫米 | 5毫米 | CeO 2 0,002 wt,% | 15000 |
6941 | SBN:61 | 5x5毫米 | 10毫米 | CeO 2 0,002 wt,% | 18500 |
6942 | SBN:61 | 5x5毫米 | 15毫米 | CeO 2 0,002 wt,% | 24000 |
6943 | SBN:61 | 5x5毫米 | 20毫米 | CeO 2 0,002 wt,% | 30000 |
6944 | SBN:61 | 5x5毫米 | 5毫米 | CeO 2 0,01 wt,% | 15000 |
6945 | SBN:61 | 5x5毫米 | 10毫米 | CeO 2 0,01 wt,% | 18800 |
6946 | SBN:61 | 5x5毫米 | 15毫米 | CeO 2 0,01 wt,% | 22000 |
6947 | SBN:61 | 5x5毫米 | 20毫米 | CeO 2 0,01 wt,% | 30000 |
6948 | SBN:61 | 5x5毫米 | 5毫米 | CeO 2 0,1 wt,% | 15000 |
6949 | SBN:61 | 5x5毫米 | 10毫米 | CeO 2 0,1 wt,% | 18500 |
6950 | SBN:61 | 5x5毫米 | 15毫米 | CeO 2 0,1 wt,% | 24000 |
6951 | SBN:61 | 5x5毫米 | 20毫米 | CeO 2 0,1 wt,% | 30000 |
73 | SBN:61 | 5x5毫米 | 5毫米 | 未摻雜 | 15000 |
74 | SBN:61 | 5x5毫米 | 10毫米 | 未摻雜 | 18500 |
75 | SBN:61 | 5x5毫米 | 15毫米 | 未摻雜 | 24000 |
76 | SBN:61 | 5x5毫米 | 20毫米 | 未摻雜 | 30000 |
BGO晶體的主要特點:
-高電光系數(shù)(r41=3,5 pm/v)
-低暗電導(dǎo)
-大尺寸元件或晶片可達3“
-可根據(jù)要求定制
BGO晶體的主要應(yīng)用:
-空間光調(diào)制器
-光開關(guān)
-光學(xué)相關(guān)器
BGO晶體的技術(shù)特性:
化學(xué)公式 | Bi12GeO20 |
晶體結(jié)構(gòu) | 立方體,點編組23 |
晶格參數(shù) | 10.15 a |
密度 | 9.2克/cm3 |
傳輸范圍 | 0.45-7米 |
折射率@0.63m | 2,55 |
光學(xué)活性@500 nm | 41.5度/毫米 |
電光系數(shù)r41 | 3.5 pm/V |
介電常數(shù) | 40 |
暗電阻 | 1014 Ohm cm |
BGO晶體的產(chǎn)品規(guī)格:
透明孔徑 | 85% |
面尺寸公差 | +0/-0.2毫米 |
厚度公差 | ±0.2毫米 |
平行度誤差 | <30 arcsec |
保護槽 | <0.3 mm at 45° |
表面質(zhì)量 | 40-20 S-D |
波前畸變 | <λ/4@6328 nm |
涂層 | 無涂層 |
BGO晶體的產(chǎn)品型號:
SKU | 面尺寸 | 長度 | 定向 | 價格(RMB) |
6868 | 5x5毫米 | 5毫米 | [110] | 5600 |
6871 | 5x5毫米 | 5毫米 | [100] | 5600 |
6872 | 10x10毫米 | 5毫米 | [110] | 8500 |
6873 | 10x10毫米 | 5毫米 | [100] | 8500 |
6874 | 20x20毫米 | 1毫米 | [110] | 5000 |
6875 | 20x20毫米 | 1毫米 | [100] | 5000 |
6876 | 30×30毫米 | 1毫米 | [110],邊與<001>平面±2deg平行 | 6000 |
6877 | 30×30毫米 | 1,5毫米 | [110] | 6000 |