便攜式igbt測試設備-華科智源
- 物理規(guī)格
設備尺寸：500（寬）x 450（深）x 250（高）cm；
質(zhì)量：30kg
- 環(huán)境要求
海拔高度：海拔不超過 1000m； 儲存環(huán)境：-20℃～50℃；
工作環(huán)境：15℃～40℃。
相RH (無凝露，濕球溫度計溫度: 40℃以下)；
大氣壓力：86Kpa～ 106對濕度：20%RH ~ 75%Kpa。
防護：無較大灰塵，腐蝕或爆炸性氣體，導電粉塵等空氣污染的損害；
- 水電氣
用電要求：AC220V，±10%； 電網(wǎng)頻率：50Hz±1Hz
四、便攜式igbt測試設備-華科智源基礎(chǔ)能力
- 測試電壓范圍：0-±5000V
- 測試電流范圍：0-±1600A
- 測試柵極電壓范圍：0-±100V
- 電壓分辨率：0.1mV
- 電流分辨率：0.1nA
五、測試種類及參數(shù)
- 、Diode（支持 Si ,SiC , GaN材料器件）
- 靜態(tài)參數(shù)：BVR/擊穿電壓、IR/漏電流、VF/正向壓降；
- 、MOSFET（支持 Si ,SiC , GaN材料器件）
- 靜態(tài)參數(shù)：BVDSS/漏源極擊穿電壓，VGS(th)/柵極開啟電壓，IDSS漏源極漏電流、VF/二極管正向壓降；Rdson 內(nèi)阻
- 、IGBT單管及模塊（支持 Si ,SiC , GaN材料器件）
靜態(tài)參數(shù)：BVCES/集射極擊穿電壓，VGE(th)/柵極開啟電壓 、ICES/集射極漏電流、VF/二極管正向壓降；VCESAT/飽和壓降，IGESR,IGESF 柵極漏電流
