1、設備概述
該設備用于功率半導體模塊（IGBT、FRD、肖特基二極管等）的動態(tài)參數(shù)測試，以表征器件的動態(tài)特性，通過特制測試夾具的連接，實現(xiàn)模塊的動態(tài)參數(shù)測試。
2.IGBT動態(tài)參數(shù)測試儀，用于軌道交通，新能源汽車等igbt領域，IGBT封裝
3、替代LEMSYS大功率IGBT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)基本參數(shù)
3.1 電 壓 源：220VAC ±10% ，50Hz/60Hz 20A RMS；
3.2 加熱功能：室溫～150℃；
3.3 測試功能：可測試IGBT模塊及FRD；
3.4 環(huán)境溫度：25℃±15℃；
3.5 環(huán)境濕度：50% ±20% （相對濕度）
4、動態(tài)測試基本配置
4.1 集電級電壓 Vcc： 50 ~ 1000V；
4.2 集電極電流 Ic： 50 ~ 1000A 感性負載；
4.3 電流持續(xù)時間 It： 10 ~ 1000 us 單個脈沖或雙脈沖的總時間； 4.4 脈 沖 模 式： 單脈沖和雙脈沖；
4.5 單電流脈沖的設置： Vcc，Ic, 電感值（自動計算脈寬）；
4.6 雙電流脈沖的設置： Vcc, Ic, 電感值，間隙時間（10到50us）(脈寬自動計算)；
（開啟Qrr測試：第二個脈寬＝間隙時間，10~50us）；
4.7 設備寄生電感 Lint: < 65nH（感性動態(tài)測試）。
5、感性負載
5.1 有效電感 L 100 200 500 1000 μH；
5.2 大電流 Ic 1000 1000 1000 500 A；
外部電感成陣列的內(nèi)部連接。（外部電感的H值傳給PC，以計算電流源的極限，限制脈寬到1000us）。
6、標準的雙控制極驅(qū)動
6.1 門極電阻可人工預先設定如：2.5Ω，5Ω，10Ω等；
6.2 開啟（Trun-ON）輸出電壓 Vge+ ： +15V；
6.3 關斷（Trun-ON）輸出電壓 Vge- ： -15V；
6.4 脈寬： 10 ~ 1000us （單脈沖、雙脈沖總時間）；
6.5 電壓開關時間： < 50ns；
6.6 輸出內(nèi)阻： < 0.5Ω；
7、替代LEMSYS大功率IGBT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)測量配置
7.1 示波器：美國泰克或者力科示波器（MSO），帶寬500MHZ，垂直分辨率12位ADC，4通道；
7.2 高速電流探頭；
7.3 高壓差分探頭。
8、測試參數(shù)應包括
8.1 開通：turn on (tdon , tr , di/dt , Ipeak , Eon , Pon )；
8.2 關斷：turn off (tdoff , tf , Eoff , Ic , Poff)；
8.3 反向恢復 (Irr,Trr,di/dt,Qrr,Erec)；
8.4 柵電荷：采用恒流驅(qū)動，電流可調(diào)范圍：0～100mA；
8.5 短路（1200Ａmax）；
8.6 雪崩；
8.7 NTC(模塊)測試：0-20KΩ；
8.8 主要測試參數(shù)精度偏差 ：< 3 % 。
9、系統(tǒng)保護功能
9.1 有完備的安全控制單元，動態(tài)測試設備有傳感器來保證操作者安全，設備任何門被打開均能快速切斷高壓電源。
9.2 有急停按鈕，當急停按鈕被按下時，迅速切斷所有高壓電源。
9.3 系統(tǒng)帶有短路保護功能，在過載時迅速斷開高壓高電流。
9.4 操作系統(tǒng)帶有多級權(quán)限。
9.5 系統(tǒng)應配有內(nèi)置ups，保證計算機系統(tǒng)在電網(wǎng)短時間掉電情況下，為系統(tǒng)供電0.5小時以上，確保系統(tǒng)及數(shù)據(jù)安全。
