等離子體納米提升系統(tǒng)
簡介
等離子體化學(xué)氣相沉積( plasma chemical vapor deposition)簡稱PCVD,是一種用等離子體激活反應(yīng)氣體,促進(jìn)在基體表面或近表面空間進(jìn)行化學(xué)反應(yīng),生成固態(tài)膜的技術(shù)。等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)的基本原理是在高頻或直流電場作用下,源氣體電離形成等離子體,利用低溫等離子體作為能量源,通入適量的反應(yīng)氣體,利用等離子體放電,使反應(yīng)氣體激活并實現(xiàn)化學(xué)氣相沉積的技術(shù)。
PCVD與傳統(tǒng)CVD技術(shù)的區(qū)別在于等離子體含有大量的高能量電子,這些電子可以提供化學(xué)氣相沉積過程中所需要的激活能,從而改變了反應(yīng)體系的能量供給方式。由于等離子體中的電子溫度高達(dá)10000K,電子與氣相分子的碰撞可以促進(jìn)反應(yīng)氣體分子的化學(xué)鍵斷裂和重新組合,生成活性更高的化學(xué)基團(tuán),同時整個反應(yīng)體系卻保持較低的溫度。這一特點使得原來需要在高溫下進(jìn)行的CVD過程得以在低溫下進(jìn)行。
等離子體納米提升系統(tǒng)
射頻等離子體學(xué)氣相沉積是等離子體增強化學(xué)氣相沉積技術(shù)中的一種,其特點在于等離子體是高真空度下氣體在射頻交變電場的作用下發(fā)生電離而產(chǎn)生。根據(jù)射頻電場耦臺形式的不同,可以分為射頻感應(yīng)耦合斌和射頻電容耦合式。
原理及特點
原理是在高頻或直流電場作用下,源氣體電離形成等離子體,基體浸沒在等離子體中或放置在等離子體下方,吸附在基體表面的反應(yīng)粒子受高能電子轟擊,結(jié)合鍵斷裂成為活性粒子,化學(xué)反應(yīng)生成固態(tài)膜。沉積時,基體可加熱,亦可不加熱。工藝過程包括氣體放電、等離子體輸運,氣態(tài)物質(zhì)激活及化學(xué)反應(yīng)等。主要工藝參數(shù)有:放電功率、基體溫度、反應(yīng)壓力及源氣體成分。主要特點是可顯著降低反應(yīng)溫度,已用于多種薄膜材料的制備。