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IGBT開關時間損耗參數測試服務

參考價 188
訂貨量 ≥1
具體成交價以合同協議為準
  • 公司名稱西安長禾半導體技術有限公司
  • 品       牌其他品牌
  • 型       號
  • 所  在  地西安市
  • 廠商性質其他
  • 更新時間2024/1/15 10:38:47
  • 訪問次數253
產品標簽:

半導體

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西安長禾半導體技術有限公司功率器件測試實驗室(簡稱長禾實驗室)位于西安市*經濟開發(fā)區(qū),是一家從事功率半導體器件測試服務的,是CNAS 認可實驗室,屬于大功率器件測試服務中心。


長禾實驗室擁有的系統設備的技術團隊和完善的服務體系。實驗室現有的測試儀器設備100余臺套測試人員20余名。我們緊跟國際國內標準,以客戶需求為導向,不斷創(chuàng)新服務項目和檢測技術,借助便利的服務網絡,為合作伙伴提供的技術服務。


長禾實驗室專注于功率半導體器件的動、靜態(tài)參數檢測、可靠性檢測、失效分析、溫循試驗、熱阻測試等領域的技術服務。業(yè)務范圍主要涉及國內軌道交通、風力發(fā)電、科研單位院所、工業(yè)控制船舶、航空航天、新能源汽車等行業(yè)。也是第三代半導體(寬禁帶半導體)應用解決方案服務商。


長禾實驗室秉承創(chuàng)新務實的經營理念,為客戶提供的服務、完善的解決方案及的技術支持;同時注重與行業(yè)企業(yè)、高校和科研院所的合作與交流,測試技術與服務水平不斷提升。




大功率半導體元器件檢測服務
IGBT開關時間損耗參數測試服務長禾實驗室擁有系統設備、專業(yè)的技術團隊和完善的服務體系。實驗室現有*的測試儀器設備100余臺套,專業(yè)測試人員20余名。我們緊跟國際國內標準,以客戶需求為導向,不斷創(chuàng)新服務項目和檢測技術,借助便利的服務網絡,為合作伙伴提供優(yōu)質高效的技術服務。
IGBT開關時間損耗參數測試服務 產品信息
功率金屬氧化物場效應管1漏源間反向擊穿電壓半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3407.1只測: -3.5kV~3.5kV
半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 3407只測: -3.5kV~3.5kV
2通態(tài)電阻半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3421.1只測: 0~10k?,,0~1500A
3閾值電壓半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3404只測: -10V~10V
4漏極反向電流半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3415.1只測: -100mA~100mA
5柵極漏電流半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3411.1只測: -100mA~101mA
6體二極管壓降半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 4011.4只測: 0A~1500A
7跨導半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3475.2只測: 1ms~1000s
8開關時間半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3472.2只測: VD:5V~3.3kV, ID:100mA~1500A
9半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 3472只測: VD:5V~3.3kV, ID:100mA~1500A
10體二極管反向恢復時間半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3473.1只測: 10ns~2µs
11體二極管反向恢復電荷半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3473.1只測: 1nC~100µC
12柵極電荷半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3471.3只測: Qg:0.5nC~500nC
13單脈沖雪崩能量半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3470.2只測: L:0.01mH~159.9mH, Ias:0.1A~1500A
14柵極串聯等效電阻功率MOSFET柵極串聯等效電阻測試方法 JESD24-11:1996(R2002)只測: 0.1Ω~50Ω
15穩(wěn)態(tài)熱阻半導體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3161.1只測: Ph:0.1W~250W
16半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 3161只測: Ph:0.1W~250W
17輸入電容半導體器件 分立器件 第8部分:場效應晶體管 IEC 60747-8:2010 6.3.10只測: -3kV~3kV,0~1MHz
18輸出電容半導體器件 分立器件 第8部分:場效應晶體管 IEC 60747-8:2010 6.3.11只測: -3kV~3kV,0~1MHz
19反向傳輸電容半導體器件 分立器件 第8部分:場效應晶體管 IEC 60747-8:2010 6.3.12只測: -3kV~3kV,0~1MHz
20老煉試驗半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 1042只測: 條件A、條件B, Vdsmax:3500V, Tjmax:200℃
21溫度,反偏和操作壽命試驗 JESD22-A108F:2017只測: HTRB和HTGB試驗
22間歇功率試驗半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 1042只測: 條件D(間歇功率)
23穩(wěn)態(tài)功率試驗半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 1042
























































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