碳化硅外延生長(zhǎng)爐技術(shù)特征
采用*的控制技術(shù),能精密控制MTS/MS的流量和壓力,爐膛內(nèi)沉積氣流穩(wěn)定,壓力波動(dòng)小;
多通道工藝氣路,流場(chǎng)均勻,無(wú)沉積死角,沉積效果好;
多級(jí)高效尾氣處理系統(tǒng),能有效處理高腐蝕性尾氣、易燃易爆氣體、固體粉塵及低熔點(diǎn)粘性產(chǎn)物,環(huán)境友好;
適于工藝氣氛:真空/H2/N2/Ar/MTS/MS。
碳化硅外延生長(zhǎng)爐產(chǎn)品規(guī)格
參數(shù)/型號(hào) | HCVD-101015-SiC | HCVD-152023-SiC | VCVD-0608-SiC | VCVD-0612-SiC | VCVD-0812-SiC | VCVD-1120-SiC | VCVD-1218-SiC | VCVD-1520-SiC |
工作區(qū)尺寸 W×H×L(mm) | 1000×1000×1500 | 1500×2000×2300 | 600×800 | 600×1200 | 800×1200 | 1100×2000 | 1200×1800 | 1500×2000 |
溫度(℃) | 1500 | 1500 | 1500 | 1500 | 1500 | 1500 | 1500 | 1500 |
溫度均勻性(℃) | ±10/±15 | ±15/±20 | ±5/±7.5 | ±7.5/±10 | ±7.5/±10 | ±10/±15 | ±10/±15 | ±15/±20 |
極限真空度(Pa) | 1-100 | 1-100 | 1-100 | 1-100 | 1-100 | 1-100 | 1-100 | 1-100 |
壓升率(Pa/h) | 0.67 | 0.67 | 0.67 | 0.67 | 0.67 | 0.67 | 0.67 | 0.67 |
加熱方式 | 電阻 | 電阻 | 電阻 | 電阻 | 電阻 | 電阻 | 電阻 | 電阻 |
以上參數(shù)可根據(jù)工藝要求進(jìn)行調(diào)整,不作為驗(yàn)收依據(jù),具體以技術(shù)方案和協(xié)議為準(zhǔn)。
碳化硅外延生長(zhǎng)爐配置選擇
結(jié)構(gòu)形式:臥式-單開門/門;立式-上出料/下出料
爐門鎖緊方式:手動(dòng)/自動(dòng)
爐殼材質(zhì):內(nèi)層不銹鋼/全不銹鋼
保溫材質(zhì):碳?xì)?石墨氈/碳纖維固化氈
加熱器、馬弗材質(zhì):石墨/CFC
熱電偶:C/S分度號(hào)
真空泵:機(jī)械泵組/耐腐蝕泵組