電子工業(yè)中,從陰射線管到二管、晶體管等離散裝置,標(biāo)稱特征大小為零。從不到5毫米的復(fù)雜集成電路,有多種產(chǎn)品。集成電路的生產(chǎn),特別是現(xiàn)代化的生產(chǎn),不同于任何產(chǎn)業(yè)應(yīng)用對(duì)高純度數(shù)量的要求。鍋爐的水質(zhì)要求用離子的含量表示,不包括粒子和細(xì)菌。但是電子工業(yè)必須考慮水的所有污染物,包括離子、有機(jī)物、粒子和二氧化硅。一般來(lái)說(shuō),電子工業(yè)用超純水進(jìn)行表面清洗。集成電路生產(chǎn)過(guò)程中暴露的硅多要經(jīng)過(guò)30 ~ 40個(gè)生產(chǎn)過(guò)程。在每個(gè)過(guò)程中,導(dǎo)電或絕緣的材料層被添加到硅的表面。因此,在添加下一層之,必須用硫酸、氫氟酸等腐蝕性化學(xué)藥品蝕刻部分表面。為了*沖洗和清除硅表面的化學(xué)藥品,化學(xué)蝕刻過(guò)程之間需要超純水。其他電子產(chǎn)品制造過(guò)程也包括表面清洗,但集成電路的尺寸太小,水中的污染物會(huì)在硅表面添加大量雜質(zhì),使電路鈍化。鈉離子和氯化物等東西吸附在電路的特定層上,改變裝置的電氣特性和終產(chǎn)品的性質(zhì)。水中的有機(jī)物傾向于遷移到表面,與表面結(jié)合。含量低的溶解有機(jī)物也可以附著在套裝上。
破壞電路中后續(xù)層的位置。粒子(如細(xì)菌)的大小無(wú)疑會(huì)超過(guò)較小集成電路的特性大小,從而破壞額外的層,或者在相鄰電路之間產(chǎn)生電氣短路。
電子產(chǎn)業(yè)18mh cm超純制備系統(tǒng)圖。該系統(tǒng)由預(yù)處理、反滲透、一次離子交換和精煉循環(huán)供水系統(tǒng)三部分組成。根據(jù)原水質(zhì)量、水型、系統(tǒng)規(guī)模大小及終水質(zhì)指標(biāo)的要求,局部有一定的變化。原水是地表水,規(guī)模較小的系統(tǒng)經(jīng)常使用活性炭去除余氯,大型系統(tǒng)使用注入還原劑的方法。原水對(duì)于地下水、規(guī)模較小的系統(tǒng),為了防止反滲透系統(tǒng)中碳酸鹽種類和硫酸鹽種類的沉淀,優(yōu)先選擇軟化機(jī)去除鈣、鎂,大型系統(tǒng)通常采用自動(dòng)注入阻抗劑的方法。初離子交換工藝取決于原水含鹽量的高低和規(guī)模。