EDX 8000H真空型X熒光光譜儀具有制樣簡(jiǎn)單、分析速度快、分析含量范圍寬、重現(xiàn)性好、準(zhǔn)確度高等優(yōu)點(diǎn),隨著 X 射線熒光光譜分析技術(shù)的不斷推廣,利用 X 射線熒光光譜儀分析儀檢測(cè)已成為很多行業(yè)質(zhì)量控制的主要手段。
分析方法
有損分析光譜法:AAS、ICP、AFS 在前處理方面跟化學(xué)滴定法相差不多,都必須把樣品制成溶液,其對(duì)微量元素分析精度高,要求分析測(cè)試人員素質(zhì)高專(zhuān)業(yè)性強(qiáng)、測(cè)試時(shí)間短、人為誤差少等特點(diǎn)。用于實(shí)驗(yàn)室環(huán)境條件下。
EDX 8000H真空型X熒光光譜儀技術(shù)參數(shù)
元素分析范圍 : 鈉(Na)~ 鈾(U)
分析元素含量范圍 :PPM~99.99%(不同材質(zhì),分析范圍不同)
任意多個(gè)可選擇的分析和識(shí)別模型
相互獨(dú)立的基體效應(yīng)校正模型
多變量非線性回歸程序
環(huán)境溫度 :15-30℃
同時(shí)分析元素 : 一次可同時(shí)分析幾十種元素
測(cè)試時(shí)間 :50-200s
電源 : 交流 220V±5v,建議配置交流凈化穩(wěn)壓電源
能量分辨率 :129±5eV
樣品腔尺寸 :400*340*80mm
儀器尺寸:700*510*336mm
儀器重量:56kg
分析精度:0.05%(含量高于 96% 以上的精品,21 次測(cè)試穩(wěn)定性)
高真空系統(tǒng)、高分辨率SDD硅漂移數(shù)字多道型電制冷探測(cè)器