測(cè)角儀側(cè)傾法結(jié)構(gòu)：
其主要特點(diǎn)：
1.2θ平面與ψ平面相垂直；
2.使入射線與線陣探測(cè)器的垂直平分線關(guān)于ψ平面對(duì)稱分布；
3.對(duì)于不同的材料、靶材和衍射角，需要改變2θ范圍時(shí)，采用步進(jìn)電機(jī)、鋼帶傳動(dòng)，同步地、對(duì)稱地改變X射線管和探測(cè)器的位置，維持正確的側(cè)傾法衍射幾何布置。
探測(cè)器：
瑞士DECTRIS公司的微帶X射線探測(cè)器（Microstrip X-ray Detectors）。該探測(cè)器的接收部分由640硅微帶組成，每條硅微帶的寬度為50μm，能夠靈敏地接收達(dá)到一定能量閾值的單個(gè)X光子，實(shí)現(xiàn)所謂的無(wú)噪聲單光子計(jì)數(shù)，并且具有抗輻射、免維護(hù)和無(wú)限壽命的特點(diǎn)。
技術(shù)參數(shù)：
測(cè)量方法，其特點(diǎn)如下：
正確的側(cè)傾法（或稱為χ法、ψ測(cè)角儀，基本免除吸收因子影響）。
允許設(shè)置多個(gè)正負(fù)ψ角和φ角進(jìn)行測(cè)試測(cè)試（解決織構(gòu)材料應(yīng)力測(cè)試、三維應(yīng)力測(cè)試問(wèn)題）。
擺動(dòng)法（解決粗晶材料的應(yīng)力測(cè)試問(wèn)題）。
殘余奧氏體含量測(cè)定。
被測(cè)材料：適合于鐵素體型、奧氏體型鋼、鋁、鈦、鎳，和金、銀、鉑等貴金屬，以及氧化鋯等陶瓷材料。
X射線管：Cr、Cu、Mn靶材。
高壓電源：功率30kV×10mA。
探測(cè)器：硅微帶線陣探測(cè)器（無(wú)噪聲單光子計(jì)數(shù)，抗輻射、免維護(hù)和無(wú)限壽命）。640通道。覆蓋范圍24°。
2θ范圍：117°～170°，2θ分辨率0.0375°。
ψ角范圍：±60°。
準(zhǔn)直管：內(nèi)徑為?0.5mm、?1mm、?1.5mm、?2mm、?3mm計(jì)5個(gè)規(guī)格，可以更換。
測(cè)試點(diǎn)定位：采用激光定位器。
X射線管冷卻系統(tǒng)：封閉恒溫循環(huán)水箱。
輻射：在儀器工作狀態(tài)，防護(hù)罩之外輻射劑量等同于大氣本底，無(wú)防護(hù)的條件下，2米之外的輻射劑量等同于大氣本底。
電源：2000W，220V，50Hz。
