原位薄膜應(yīng)力測量系統(tǒng)(kSA MOS Film Stress Measurement System)：系統(tǒng)采用非接觸MOS激光陣列技術(shù)；不但可以對薄膜的應(yīng)力、表面曲率和翹曲進(jìn)行實(shí)時(shí)原位測量，而且還可二維應(yīng)力Mapping 成像統(tǒng)計(jì)分析，同時(shí)可精確測量應(yīng)力、曲率隨溫度變化的關(guān)系。

典型用戶：Harvard University 2套，Stanford University，Johns Hopkins University，Brown University 2套，Karlsruhe Research Center,Max Planck Institute，西安交通大學(xué)，中國計(jì)量等、半導(dǎo)體和微電子制造商（如IBM.，Seagate Research Center,Phillips Semiconductor,NEC，Nissan ARC,Nichia Glass Corporation）等； 

相關(guān)產(chǎn)品：
薄膜應(yīng)力儀（kSA MOS 薄膜應(yīng)力測量儀）：為獨(dú)立測量系統(tǒng)，同樣采用多光束MOS技術(shù)，詳細(xì)信息請與我們聯(lián)系。

設(shè)備名稱：
原位薄膜應(yīng)力測量系統(tǒng)，原位薄膜應(yīng)力測試儀，原位薄膜應(yīng)力計(jì)，薄膜應(yīng)力儀，kSA MOS Film Stress Tester, kSA MOS Film Stress Measurement System;

主要特點(diǎn)：
   1.MOS 多光束傳感器技術(shù)；
   2.單Port(樣品正上方)和雙Port(對稱窗口)系統(tǒng)設(shè)計(jì)；
   3.適合MOCVD, MBE, Sputter，PLD、蒸収系統(tǒng)等各種真空薄膜沉積系統(tǒng)以及熱處理設(shè)備等；
   4.薄膜應(yīng)力各向異性測試和分析功能；
   5.生長速率和薄膜厚度測量；（選件）
   6.光學(xué)常數(shù)n&k 測量；（選件）
   7.多基片測量功能；（選件）
   8.基片旋轉(zhuǎn)追蹤測量功能；（選件）
   9.實(shí)時(shí)光學(xué)反饋控制技術(shù)，系統(tǒng)安裝時(shí)可設(shè)置多個(gè)測試點(diǎn)；
   10.專業(yè)設(shè)計(jì)免除了測量丌受真空系統(tǒng)振動(dòng)影響；

測試功能：
         1. 實(shí)時(shí)原位薄膜應(yīng)力測量
   2.實(shí)時(shí)原位薄膜曲率測量
   3.實(shí)時(shí)原位應(yīng)力*薄膜厚度曲線測量
   4.實(shí)時(shí)原位薄膜生長全過程應(yīng)力監(jiān)控等

實(shí)際應(yīng)用：