MtronPTI晶振,有源晶振,M251x石英晶體振蕩器,智能手機(jī)晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無(wú)線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺(tái)基站等較的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類(lèi)移動(dòng)通信的基準(zhǔn)時(shí)鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動(dòng)通信領(lǐng)域,滿(mǎn)足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
今天的MtronPTI在所有地點(diǎn)均通過(guò)ISO9001:2008認(rèn)證,并且今天繼續(xù)管理嚴(yán)格的質(zhì)量控制體系.MtronPTI晶振還擁有AS9100 Rev C認(rèn)證流程,并繼續(xù)改善質(zhì)量,加快流程,并在業(yè)務(wù)的各個(gè)方面管理需求流技術(shù),以便在規(guī)定的正確時(shí)間交付正確的產(chǎn)品.
石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù):是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等).使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng),貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi).
MtronPTI晶振 | M251x晶振 |
輸出類(lèi)型 | HCMOS |
輸出負(fù)載 | 15pF |
振蕩模式 | 基本/第三泛音 |
電源電壓 | +1.62V~+3.63V |
頻率范圍 | 32.768KHZ |
頻率穩(wěn)定度 | ±20ppm、±25ppm、±50ppm、±100ppm |
工作溫度 | -20℃~+70℃ -40℃~+85℃ |
保存溫度 | -55℃~+125℃ |
電壓卷(值)/ VOH(最小值) | 0.1 VDD / 0.9 VDD |
啟動(dòng)時(shí)間 | 5 ms Max |
相位抖動(dòng)(12兆赫~20兆赫) | 1個(gè)PS |
老化率 | ±3 ppm /年 |
自動(dòng)安裝時(shí)的沖擊
自動(dòng)安裝和真空化引發(fā)的沖擊會(huì)破壞產(chǎn)品特性并影響這些進(jìn)口石英晶體振蕩器.請(qǐng)?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至低,并確保在安裝前未對(duì)產(chǎn)品特性產(chǎn)生影響.條件改變時(shí),請(qǐng)重新檢查安裝條件.同時(shí),在安裝前后,請(qǐng)確保石英晶振未撞擊機(jī)器或其他電路板等.
存儲(chǔ)事項(xiàng)
(1)在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間保存進(jìn)口貼片SMD晶振產(chǎn)品時(shí),會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性.請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品,并在開(kāi)封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長(zhǎng)期儲(chǔ)藏.正常溫度和濕度:溫度:+15°C至+35°C,濕度25%RH至85%RH(請(qǐng)參閱“測(cè)試點(diǎn)JISC60068-1/IEC60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容).
(2)請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶.外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞.
粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致2520石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)
裝載SMD產(chǎn)品
SMD晶體產(chǎn)品支持自動(dòng)貼裝,但還是請(qǐng)預(yù)先基于所使用的搭載機(jī)實(shí)施搭載測(cè)試,確認(rèn)其對(duì)特性沒(méi)有影響.在切斷工序等會(huì)導(dǎo)致基板發(fā)生翹曲的工序中,請(qǐng)注意避免翹曲影響到產(chǎn)品的特性以及軟焊.基于超聲波焊接的貼裝以及加工會(huì)使得貼片晶體產(chǎn)品(諧振器、振蕩器、濾波器)內(nèi)部傳播過(guò)大的振動(dòng),有可能導(dǎo)致特性老化以及引起不振蕩,因此不推薦使用.
美國(guó)MtronPTI晶振將:通過(guò)適當(dāng)控制環(huán)境影響的物質(zhì),減少能源的使用,以達(dá)到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的.有效利用資源,防止環(huán)境污染,減少和妥善處理廢物,包括再利用和再循環(huán).通過(guò)開(kāi)展節(jié)能活動(dòng)和減少二氧化碳排放防止變暖.避免采購(gòu)或使用直接或間接資助或受益剛果民主共和國(guó)或鄰近國(guó)家武裝組織的礦產(chǎn).
遵守有關(guān)環(huán)境保護(hù)的法律、標(biāo)準(zhǔn)、協(xié)議和任何公司承諾的其他要求.根據(jù)環(huán)境方針制定環(huán)境目標(biāo)和目標(biāo),同時(shí)促進(jìn)這些活動(dòng),并定期檢討環(huán)境管理體系的持續(xù)改進(jìn).在我們的環(huán)境政策中教育所有員工和為我們的團(tuán)隊(duì)工作的人,通過(guò)教育和提高意識(shí)來(lái)提高他們的環(huán)保意識(shí).確保公眾環(huán)境保護(hù)活動(dòng)的信息公開(kāi).
MtronPTI晶振集團(tuán)認(rèn)識(shí)到進(jìn)行環(huán)境管理和資源保持的責(zé)任和必要性,同時(shí)也認(rèn)識(shí)到針對(duì)環(huán)境問(wèn)題,為保持國(guó)際環(huán)境而進(jìn)行各行業(yè)建設(shè)性的合作是極其重要的.過(guò)去MtronPTI晶振集團(tuán)已經(jīng)針對(duì)重大污染控制項(xiàng)目建立了一整套記錄程序并且將繼續(xù)識(shí)別解決其自身環(huán)境污染及保持問(wèn)題,加強(qiáng)責(zé)任感以便進(jìn)行環(huán)境績(jī)效的持續(xù)改進(jìn).
MtronPTI晶振集團(tuán)將:不論何時(shí)何地盡可能的進(jìn)行源頭污染預(yù)防.為環(huán)境目標(biāo)指標(biāo)的建立與評(píng)審提供框架.通過(guò)充分利用或回收等方法實(shí)現(xiàn)對(duì)自然資源的保持.
MtronPTI晶振集團(tuán)將確保其產(chǎn)品及相關(guān)設(shè)施滿(mǎn)足甚至超出國(guó)家的、州立的以及地方環(huán)保機(jī)構(gòu)的相關(guān)法規(guī)規(guī)定及其他要求,同時(shí)該公司盡可能的參與并協(xié)助和其他組織從事的環(huán)保活動(dòng). 在地方對(duì)各項(xiàng)設(shè)施的管理責(zé)任中,確保滿(mǎn)足方針的目標(biāo)指標(biāo),同時(shí)在各種經(jīng)營(yíng)與生產(chǎn)活動(dòng)中遵守并符合現(xiàn)行所有標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的要求.