PI無氧烘箱工藝流程
PI光刻膠是一種高性能、高精度的光刻膠,被廣泛應用于微電子、光電子、MEMS等領域
PI無氧烘箱工藝的必要性:
PI光刻膠的預烘是將其涂覆在襯底上后,在特定溫度下進行一段時間的烘千,使PI溶液中的溶劑揮發(fā)掉,PI形成一定的網(wǎng)狀結構并增強其附著性。無氧烘箱用于半導體/電子/新材料/新能源等行業(yè)。BCB、PI、PBO膠固化,LCP新材料、鋰電池等產(chǎn)品熱處理。
PI無氧烘箱工藝流程要求(參考):
在低氧狀態(tài)下使用
真空加熱,升溫至1xx℃
再溫至1xx℃(約xh),保溫約 30min;
繼續(xù)升溫至x00℃,視涂層厚度不同加熱10-x0min
保溫 約60min;
降溫至100℃以下
PI無氧烘箱性能:
溫度:室溫+50~400℃
氧濃度:≤10ppm
真空度:1Torr
冷卻裝置:輔助降溫
控制方式:可程式運行
無氧烘箱,真空無氧烘箱,無塵烘箱,HMDS烘箱,硅烷蒸鍍機,無塵無氧烘箱,氮氣烘箱,鼓風真空烘箱,超低溫試驗箱,快溫變試驗箱,恒溫恒濕試驗箱,高低溫沖擊試驗箱等設備,以及非標定制。---上海雋思儀器專業(yè)生產(chǎn)/服務!
PI光刻膠的制備一般采用溶解法或乳化法。溶解法是將PI粉末在氮氣氣氛下溶于甲醇或丙酮等有機溶劑中,加入一定的表面活性齊并在攪拌和加熱條件下使其溶解成為PI溶液。乳化法是將PI顆粒懸浮于水相中,經(jīng)過乳化劑的加入后與有機相反復振蕩,使PI成為均勻的乳狀體,最終得到PI乳液。