napson電阻測(cè)量?jī)x 電阻計(jì) 熱電阻 電阻率DUORES Handy的介紹
napson電阻測(cè)量?jī)x 電阻計(jì) 熱電阻 電阻率DUORES Handy的介紹
產(chǎn)品特點(diǎn)
便于攜帶和測(cè)量的便攜式薄層電阻測(cè)量儀：DUORES
可根據(jù)測(cè)量對(duì)象更換兩種類型的探頭（非破壞型和接觸型）。
• 款可與兩種類型的探頭（非破壞型和接觸型）互換使用的便攜式薄層電阻測(cè)量?jī)x
• 只需放置/應(yīng)用探頭即可自動(dòng)測(cè)量
• 電池連續(xù)工作時(shí)間：24 小時(shí)（*電池使用中）
顯示數(shù)據(jù)數(shù)：最多 100（*從最近的數(shù)據(jù)顯示）
• 保存數(shù)據(jù)數(shù)：最大50,000（*通過(guò)專用軟件顯示）
• 測(cè)量數(shù)據(jù)傳輸功能：USB-Mini
• 顯示：3種顯示單位（Ω/□、S/□、n/m [金屬膜厚度換算） ]), 4 位浮點(diǎn)數(shù) (0.000 到 9999)
* 我們也只出售主機(jī) + 非破壞型探頭，主機(jī) + 接觸式探頭。
產(chǎn)品特點(diǎn)
節(jié)省空間，使用個(gè)人電腦輕松操作和數(shù)據(jù)處理
非接觸式渦流法可實(shí)現(xiàn)無(wú)損傷測(cè)量
探頭可拆卸和更換，因此每個(gè)量程的探頭都可以輕松更換。
（*可選用于第二個(gè)和后續(xù)電阻探頭）
1 中心點(diǎn)測(cè)量
厚度和溫度修正功能（硅晶圓）
測(cè)量規(guī)格
測(cè)量對(duì)象
半導(dǎo)體/太陽(yáng)能電池材料（硅、多晶硅、SiC等）
新材料/功能材料（碳納米管、DLC、石墨烯、銀納米線等）
導(dǎo)電薄膜（金屬、ITO等）
硅基外延、 ion Injection sample
化合物半導(dǎo)體相關(guān)（GaAs Epi、GaN Epi、InP、Ga等）
其他（*請(qǐng)聯(lián)系我們）
測(cè)量尺寸
3 至 8 英寸，~156 x 156 毫米
（可選；2 英寸或 12 英寸，~210 x 210 毫米）
測(cè)量范圍
[電阻率] 1m 至 200 Ω?cm
（*所有探頭類型的總范圍/當(dāng)厚度為 500um 時(shí)）
[薄層電阻] 10m 至 3k Ω/sq
（*所有探頭類型的總范圍）
產(chǎn)品特點(diǎn)
只需觸摸手持探頭即可測(cè)量電阻
在電阻率/薄層電阻測(cè)量模式之間輕松切換
通過(guò) JOG 撥盤輕松設(shè)置測(cè)量條件
可互換連接器連接的電阻測(cè)量探頭支持各種電阻
（電阻探頭：最多可使用2+PN判斷探頭）
測(cè)量規(guī)格
測(cè)量對(duì)象
半導(dǎo)體/太陽(yáng)能電池材料（硅、多晶硅、SiC等）
新材料/功能材料（碳納米管、DLC、石墨烯、銀納米線等）
導(dǎo)電薄膜（金屬、ITO等）
硅基外延、 ion Injection sample
化合物半導(dǎo)體相關(guān)（GaAs Epi、GaN Epi、InP、Ga等）
其他（*請(qǐng)聯(lián)系我們）
測(cè)量尺寸
不受樣品尺寸和形狀的影響（但是，大于 20 mmφ 且表面平坦的樣品）均可測(cè)量
測(cè)量范圍
[電阻率] 1m 至 200 Ω?cm
（*所有探頭類型的總范圍/當(dāng)厚度為 500um 時(shí)）
[薄層電阻] 10m 至 3k Ω/sq
節(jié)省空間，使用個(gè)人電腦輕松操作和數(shù)據(jù)處理
非接觸式渦流法可實(shí)現(xiàn)無(wú)損傷測(cè)量
探頭可拆卸和更換，因此每個(gè)量程的探頭都可以輕松更換。
（*可選用于第二個(gè)和后續(xù)電阻探頭）
1 中心點(diǎn)測(cè)量
測(cè)量對(duì)象
半導(dǎo)體/太陽(yáng)能電池材料（硅、多晶硅、SiC等）
新材料/功能材料（碳納米管、DLC、石墨烯、銀納米線等）
導(dǎo)電薄膜（金屬、ITO等）
硅基外延、 ion Injection sample
化合物半導(dǎo)體相關(guān)（GaAs Epi、GaN Epi、InP、Ga等）
