產(chǎn)品簡(jiǎn)介:GSL-PECVD-300化學(xué)氣相沉積采用等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積技術(shù),基本溫度低,沉積速率快,在光學(xué)玻璃、硅、石英以及不銹鋼等不同襯底材料上沉積氮化硅、非晶硅和微晶硅等薄膜,成膜質(zhì)量好,針孔較少,不易龜裂,適用于制備非晶硅和微晶硅薄膜太陽(yáng)電池器件,可廣泛應(yīng)用于大專院校、科研院所的薄膜材料的科研與小批量制備。
產(chǎn)品型號(hào) | GSL-PECVD-300化學(xué)氣相沉積 | ||
安裝條件 | 本設(shè)備要求在海拔1000m以下,溫度25℃±15℃,濕度55%Rh±10%Rh下使用。 1、水:設(shè)備配有自循環(huán)冷卻水機(jī)(加注純凈水或者去離子水) 2、電:AC380V 50Hz,必須有良好接地 3、氣:設(shè)備腔室內(nèi)需充注氮/氬氣(純度99.99%以上),需自備實(shí)驗(yàn)所需氣體氣瓶(自帶Ø10mm雙卡套接頭)及減壓閥 4、場(chǎng)地:設(shè)備尺寸2200×2000mm×1500mm,承重1000kg以上 5、通風(fēng)裝置:需要 | ||
主要特點(diǎn) | 1、所需成膜溫度低 2、沉積速率快,應(yīng)用廣泛 3、體積小,操作簡(jiǎn)便 4、采用射頻為增強(qiáng)源易于控制 5、清理安裝便捷。 6、一體化觸摸屏控制 | ||
技術(shù)參數(shù) | 1、系統(tǒng)采用單室筒式結(jié)構(gòu),手動(dòng)前開(kāi)門(mén); 10、系統(tǒng)設(shè)有尾氣處理系統(tǒng)(用戶自備)。 | ||
產(chǎn)品規(guī)格 | 整機(jī)尺寸:1200x1500x1500mm; | ||
標(biāo)準(zhǔn)配件 | 1 | 電源控制系統(tǒng) | 1套 |
2 | 真空機(jī)組 | 1套 | |
3 | 真空測(cè)量 | 1套 |