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HMDS專用烘箱,HMDS真空涂膠系統(tǒng) 工業(yè)烘箱

參考價 88900
訂貨量 ≥1
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱上海雋思實驗儀器有限公司
  • 品       牌雋思
  • 型       號JS
  • 所  在  地上海
  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 更新時間2023/12/4 11:51:14
  • 訪問次數(shù)1418
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上海雋思實驗儀器有限公司(以下簡稱“雋思儀器”)是一家專業(yè)從事儀器設(shè)備研發(fā)、生產(chǎn)、銷售及服務(wù)的企業(yè)。主要生產(chǎn)半導(dǎo)體工藝設(shè)備、環(huán)境模擬儀器設(shè)備、線纜試驗機、橡塑試驗檢測設(shè)備、黑蒜設(shè)備等的高新技術(shù)型企業(yè),具有很強的自主開發(fā)、設(shè)計能力,服務(wù)于電子、電力、通訊、環(huán)保、農(nóng)業(yè),建筑,節(jié)能等行業(yè);多年來,公司以“真摯的服務(wù)、優(yōu)質(zhì)的品質(zhì)”為宗旨,為國內(nèi)外廣大用戶提供了周到的售前、售中、售后服務(wù)。贏得了國內(nèi)外客戶的*好評,更為我們業(yè)務(wù)的快速發(fā)展奠定了一定的基礎(chǔ)。我們的服務(wù)也更精益求精,更完善!
 雋思儀器主要業(yè)務(wù)有HMDS預(yù)處理系統(tǒng),HMDS烘箱,潔凈烤箱,百級潔凈烘箱,氮氣烘箱,高溫?zé)o氧烘箱,真空無氧烘箱,無塵無氧化烘箱,抗粘劑涂膠機,精密恒溫加熱臺,快速高低溫氣流儀,超低溫試驗箱,高低溫試驗箱,高低溫交變濕熱箱定做,HMDS真空涂膠烘箱,低溫脆性檢測儀,黑蒜發(fā)酵設(shè)備,導(dǎo)體直流電阻測試儀,電線電纜檢測儀器,真空烘箱,黑蒜試驗機,橡塑檢測試驗機等。
    不斷追求技術(shù)進(jìn)步、提升專業(yè)服務(wù)能力,做一個專業(yè)的儀器設(shè)備供應(yīng)商是我們的發(fā)展目標(biāo)。企業(yè)內(nèi)部實施了CRM、ERP項目管理,在產(chǎn)品開發(fā)、質(zhì)量控制、集成供應(yīng)鏈、人力資源管理、財務(wù)管理等諸多方面取得了長足發(fā)展。同時建立了標(biāo)準(zhǔn)化的服務(wù)流程,形成了覆蓋全國的快速服務(wù)網(wǎng)絡(luò),以盡心盡責(zé)的服務(wù)理念和完備的技術(shù)得到用戶的*稱贊。我們將珍視每一次與您合做的機會,以飽滿的熱情、真誠的服務(wù)與您共創(chuàng)燦爛的未來!





HMDS烘箱,百級潔凈烘箱,氮氣烘箱,高溫?zé)o氧烘箱,PI烤箱,真空無氧烘箱,無塵無氧化烘箱,抗粘劑涂膠機,精密恒溫加熱臺,超低溫試驗箱
材質(zhì) 不銹鋼 工作室尺寸 45mm
功率 2500 加工定制
類型 真空 適用范圍 MEMS,氮化鎵,砷化鎵,半導(dǎo)體
溫度范圍 200℃ 重量 190kg
HMDS專用烘箱,HMDS真空涂膠系統(tǒng)適用行業(yè):MEMS、濾波、放大、功率等器件,晶圓、玻璃、貴金屬,SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵)、ZnO(氧化鋅)、GaO(氧化鎵)、金剛石等第三代半導(dǎo)體材料。
HMDS專用烘箱,HMDS真空涂膠系統(tǒng) 工業(yè)烘箱 產(chǎn)品信息



HMDS專用烘箱,HMDS真空涂膠系統(tǒng)性能:


涂布方式:氣相沉積

使用溫度:RT+50-200℃

真空度:≤1torr

設(shè)備材質(zhì):內(nèi)箱采用316L醫(yī)用不銹鋼

運行方式:一鍵運行,自動完成工藝處理,并有結(jié)束提示音

尺寸大?。?50*450*450mm

兼容性:2-12寸晶圓及方片等

儲液瓶:HMDS儲液量1000ml 

真空泵:進(jìn)口干式真空泵

數(shù)據(jù)處理:多個工藝配方存儲,使用數(shù)據(jù)記錄

保護裝置:低液位報警,HMDS藥液泄漏報警,超溫保護并斷開加熱,漏電保護等

HMDS專用烘箱,HMDS真空涂膠系統(tǒng)用行業(yè)

MEMS、濾波、放大、功率等器件,晶圓、玻璃、貴金屬,SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵)、ZnO(氧化鋅)、GaO(氧化鎵)、金剛石等第三代半導(dǎo)體材料。


SiC碳化硅(HMDS預(yù)處理系統(tǒng))是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導(dǎo)體材料,是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一。


碳化硅原材料核心優(yōu)勢體現(xiàn)在:

(1)耐高壓:更低的阻抗、更寬的禁帶寬度,能承受更大的電流和電壓,帶來更小尺寸的產(chǎn)品設(shè)計和更高的效率;

(2)耐高頻:SiC器件在關(guān)斷過程中不存在電流拖尾現(xiàn)象,能有效提高元件的開關(guān)速度(大約是Si的3-10倍),適用于更高頻率和更快的開關(guān)速度;

(3)耐高溫:SiC相較硅擁有更高的熱導(dǎo)率,能在更高溫度下工作。

    相比傳統(tǒng)的硅材料(Si),碳化硅(SiC)的禁帶寬度是硅的3倍;導(dǎo)熱率為硅的4-5倍;擊穿電壓為硅的8-10倍;電子飽和漂移速率為硅的2-3倍。


碳化硅晶片應(yīng)用于肖特基二極管、 MOSFET、IGBT等,主要用于電動汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、數(shù)據(jù)中心、充電等基礎(chǔ)建設(shè),主要用于5G通信、車載通信、國防應(yīng)用、數(shù)據(jù)傳輸、航空航天。





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