950-1650nmNIR InGaAs光子探測(cè)器，2000個(gè)光子的靈敏動(dòng)態(tài)，配備熱電冷卻器

      Amplification熱電冷卻InGaAs探測(cè)器通過技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)高品質(zhì)的內(nèi)部放大，具有高增益（＞105）、快速響應(yīng)（＜0.4ns上升時(shí)間）和極低的過噪聲因子（＜1.05）。該產(chǎn)品采用TO-8封裝，配有熱電冷卻器，環(huán)境溫度為25°C時(shí)，可以冷卻到-50°C。

近紅外銦鎵砷光子探測(cè)器的TEC性能：

TEC是一款三級(jí)冷卻器，采用高質(zhì)量的散裝BiTe材料制造，符合RoHS規(guī)范，并通過了Telordia GR-468 認(rèn)證。符合RoHS規(guī)范，并通過了Telcordia GR-468認(rèn)證。以下是理想條件下的 TEC 性能參數(shù)：

近紅外銦鎵砷探測(cè)器TEC性能數(shù)據(jù)不包括TO封裝和散熱器布置，實(shí)際使用限制冷卻溫度在-50°C至-55°之間。上圖中所示的InGaAs探測(cè)器性能參數(shù)是在散熱和無負(fù)載條件下獲得的。在TO-8頭部的實(shí)際使用中，應(yīng)仔細(xì)考慮設(shè)計(jì)一個(gè)合適的散熱方案。為了獲得的可靠性，建議在非凝結(jié)環(huán)境下存儲(chǔ)和操作溫度低于85°C。為了盡量減少熱應(yīng)力，應(yīng)使用線性/比例溫度控制或類似的方法，而不是開關(guān)控制方法。

Amplification NIRDAPD TEC近紅外探測(cè)器是一款近紅外離散放大光子探測(cè)器，波長(zhǎng)覆蓋950nm至1650nm的近紅外波段。Amplification熱電制冷近紅外探測(cè)器DAPD TO8專為寬帶模擬檢測(cè)低光信號(hào)而設(shè)計(jì)，近紅外銦鎵砷探測(cè)器對(duì)NIR模擬檢測(cè)器而言具有無二的信號(hào)脈沖靈敏度。NIR InGaAs光子探測(cè)器的靈敏度涵蓋了從單個(gè)光子到每脈沖約2000個(gè)光子的寬動(dòng)態(tài)范圍，并且其輸出信號(hào)與檢測(cè)到的光子數(shù)成正比。

Amplification近紅外TEC探測(cè)器DAPD-TO8有兩種不同的有效面積尺寸可供選擇：80µm和200µm。

Amplification近紅外探測(cè)器的主要特點(diǎn)：

-近紅外光譜響應(yīng)從950到1650 nm

-快速響應(yīng)：上升時(shí)間< 0.4ns

-高增益：在PDE下，G=~100k

  -低噪聲因子：F<1.05

  - TEC冷卻到-50oC

  這表明熱電冷卻InGaAs探測(cè)器可以通過熱電制冷（TEC）技術(shù)冷卻到極低的溫度。在低溫下，Amplification近紅外離散放大光子探測(cè)器的性能可能會(huì)得到提高，因?yàn)闊嵩肼晻?huì)減少。Amplification近紅外探測(cè)器DAPD TO8的輸出信號(hào)相對(duì)于噪聲是非常干凈的，可以提高檢測(cè)的準(zhǔn)確性。

Amplification近紅外銦鎵砷探測(cè)器的主要應(yīng)用：

       -激光雷達(dá)3D成像

       -激光雷達(dá)和環(huán)境監(jiān)測(cè)

       -光譜學(xué)和儀器

       -量子通信

NIRDAPD TEC近紅外探測(cè)器的規(guī)格：（工作溫度為 -50°C 時(shí)）          

(1)   近紅外TEC探測(cè)器的光子檢測(cè)效率包括串?dāng)_和后脈沖。