痕量級AMC空氣分子污染物 Ma Mb(NH3,HCL,HF等）監(jiān)測---半導體行業(yè)應(yīng)用
光刻工藝潔凈室內(nèi)痕量級NH3,HCL,HF氣體的超高靈敏度、實時測量
實踐證明深紫外光刻工藝深受多種類微量污染物的影響，對很多微量污染物極為敏感，比如氨氣或者酸性氣體都會給半導體生產(chǎn)帶來極大的危害，盡管隨著深紫外耐腐蝕材料技術(shù)的發(fā)展，已經(jīng)減少了長時間持續(xù)實時監(jiān)測，而實際上空氣分子污染（AMC）的實時測量對產(chǎn)品質(zhì)量的好壞至關(guān)重要。
獵戶座3100S系列空氣分子污染物監(jiān)測系統(tǒng)基于CEAS（腔增強吸收光譜）技術(shù)連續(xù)分析儀器，將增加半導體器件阻抗一致性、保證更長的過濾器壽命、減少生產(chǎn)過程的停工時間。
ETG HMI（人機交互界面）軟件可以實時觀察、實時測量、實時操作對不同空間不同位置的NH3、HCL、HF進行分析，軟件專門針對半導體行業(yè)開發(fā)，對于深紫外光刻工藝過程中監(jiān)測與控制空氣分子污染（AMC）提供有力的支持，軟件集成了多點采樣（MS）控制功能，具有實時顯示數(shù)據(jù)曲線、報警、存儲、趨勢、歷史曲線、分析等功能。
獵戶座 3100S 系統(tǒng): 完善的空氣分子污染（AMC）監(jiān)測
實時監(jiān)測空氣分子污染（AMC）對于半導體生產(chǎn)過程極為重要。
快速監(jiān)測、報警、極低濃度測量、寬測量區(qū)域、多氣體的高靈敏響應(yīng)等是半導體工業(yè)要求之一。
深紫外光刻工藝特別關(guān)注氨、胺類、N-甲基吡咯烷酮NMP、酸類等濃度測量，當這些氣體與化學放大光刻膠反生反應(yīng)時，將深深的影響半導體器件質(zhì)量。
傳統(tǒng)古老的方法多采用間接測量分析方法。包括撞擊濾塵器、離子色譜、化學熒光法，這些方法分析速度太慢，操作過程太復雜，昂貴并且測量結(jié)果不精確。
ETG采用被證明的CEAS（腔增強吸收光譜）技術(shù)解決AMC（空氣分子污染物）監(jiān)測難題，可快速測量痕量級NH3、HCL、HF，采用脈沖熒光法測量SO2，采用增強型GC-FID測量VOCs。
獵戶座 3100S系列空氣分子污染物監(jiān)測系統(tǒng)測量痕量級NH3、HCL、HF并集成了uVOC-CAM特性，是半導體行業(yè)潔凈室AMC（空氣分子污染）測量的有力工具。
獵戶座 3100S也集成了多點監(jiān)測系統(tǒng)，可依序?qū)怏w抽送到分析儀或傳感器，并讀出測量結(jié)果。獵戶座 3100S內(nèi)嵌的報警、報告、分析軟件是由多年半導體行業(yè)經(jīng)驗的工程師集體開發(fā)。
獵戶座 3100S使用Ethernet、RS485/RS232或4-20mA模擬模塊可以輸出來自4~6臺分析儀或傳感器的數(shù)據(jù)。
每臺分析儀配有內(nèi)置計算機（Linux OS），可進行數(shù)據(jù)存儲和數(shù)據(jù)輸出，還支持遠程網(wǎng)絡(luò)控制，通過互聯(lián)網(wǎng)可以連接ETG公司總部或者當?shù)亟?jīng)銷商服務(wù)商，進行操作或者診斷。
使用者可以通過網(wǎng)絡(luò)瀏覽器比如IE、Chrome等世界任意可以聯(lián)網(wǎng)的地方進行操作，遠程操作可實現(xiàn)多級管理權(quán)限控制和操作。
獵戶座 3100S 系統(tǒng)配置
增強靈敏度
儀器基于CEAS（腔增強吸收光譜）技術(shù)，極簡使用、便捷操作，所有部件（包括內(nèi)置真空泵、鍵盤、鼠標、顯示器等）幾分鐘內(nèi)可開始記錄數(shù)據(jù)，其他大氣中的水汽、CO2、O2、甲烷等不會對HCL、HF、NH3等測量構(gòu)成交叉干擾。內(nèi)置計算機可以存儲大量數(shù)據(jù)到內(nèi)置硬盤上，可同過數(shù)字接口或者模擬接口傳輸數(shù)據(jù)，可通過互聯(lián)網(wǎng)遠程存儲或記錄數(shù)據(jù)，高質(zhì)量的數(shù)據(jù)庫，適合于苛刻的半導體痕量級氣體應(yīng)用。
檢測限/精度 (1-σ) :HCl 0.1 ppb ; HF 0.1 pp ; NH3 < 0.1 ppb
快速響應(yīng)時間
每個通道5秒
系統(tǒng)即插即用
系統(tǒng)可在潔凈間幾分鐘內(nèi)簡單操作完成
低成本
因CEAS（腔增強吸收光譜）系統(tǒng)不需要特別的維護保養(yǎng)和備品備件，所以很好的降低了使用者成本。
CEAS（腔增強吸收光譜）---原理
基于CEAS（腔增強吸收光譜）技術(shù)的儀器原理圖，使用近紅外波段光進行高靈敏度吸收測量，測量腔室由一組高反射率多次反射鏡片組成的柱狀體構(gòu)成，激光束經(jīng)過固態(tài)校準器（FSR=2.00GHz）時會測量得到相對激光波長。為了保證清晰度，忽略了原本照射到左側(cè)測量單元腔鏡外的光束。
EP增強型版本集成了壓力傳感器和內(nèi)部溫度控制器，具有超穩(wěn)定性測量腔室，防止溫度漂移、壓力變化等造成的誤差。
CEAS（腔增強吸收光譜）相比于代的CRDS（腔衰蕩光譜）技術(shù)，有許多已被證明的優(yōu)勢。簡而言之，激光束不需要共振耦合進入測量腔室（例如光束不需要嚴格對準）。ETG分析儀器和系統(tǒng)具有天生安裝簡單、機械牢固、防護結(jié)實等特點。
獵戶座 3100S的特性
· sub-ppb級實時測量
· CEAS（腔增強吸收光譜）原理
· 苛刻危險環(huán)境下可連續(xù)無人值守測量
· 無試劑、無放射源、無紙帶消耗、無吸收管或者其他耗材
· 長期穩(wěn)定性和可靠性
· 固態(tài)電子器件無可移動部件
· 低維護量、長免維護期
· 出廠標定
· 單組份/多組份痕量級氣體測量
· 4~64通道多點采樣
· 獨立可編程報警、繼電器設(shè)置
· 可獨立編程采樣點順序和吹掃通道
· 開放的通訊協(xié)議，便于二次開發(fā)與集成
· 電源斷電或者斷閘，數(shù)據(jù)無丟失
· 觸摸屏允許數(shù)據(jù)顯示、表格顯示、曲線顯示等
· ? “外徑接口
· 管線：PFA, PVDF
· 距離采樣點最長管線：80m
· 盤裝彩色液晶顯示器
· 可遠程操作或可視化操作。
· 任意的運載工具
· 輸出信號：標配 : RS232 , 可選 : 4-20 mA, Modbus
· 供電 : 115-230 Vac 50/60 Hz
· 校準報告
· 通過采樣器或者快速回路泵采樣
