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離子束刻蝕機（IBE）

參考價	￥10-￥280/臺

具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)

公司名稱北京中科復(fù)華科技有限公司
品牌其他品牌
型號DISC-IBE-1
所在地北京市
廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
更新時間2024/4/9 9:59:40
訪問次數(shù)316

產(chǎn)品標(biāo)簽:

離子束刻蝕 IBE

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公司介紹主營產(chǎn)品

北京中科復(fù)華科技有限公司是一家致力于為半導(dǎo)體領(lǐng)域和微納米科學(xué)領(lǐng)域提供綜合性解決方案，為全國各大高校、科研院所及企事業(yè)單位提供的半導(dǎo)體設(shè)備儀器和微納米科學(xué)儀器，擁有一支經(jīng)驗豐富、技術(shù)過硬的技術(shù)團隊。能夠出色地完成售前、售中、售后的服務(wù)。未來公司將不斷和引進在微納米科學(xué)領(lǐng)域中起重要作用的新儀器和新產(chǎn)品，同時也與全國各所的大學(xué)、學(xué)院和科研院所建立了良好的合作關(guān)系，致力于把具有市場前景的科研成果推向市場。愿與中、外同仁廣泛合作，為中國的教育與科研事業(yè)在廣范圍、高層次上提供服務(wù)。

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電子束曝光系統(tǒng)，刻蝕設(shè)備，鍍膜設(shè)備，光刻機

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產(chǎn)地	國產(chǎn)

IBE刻蝕機采用離子束刻蝕技術(shù)，其原理基于離子和固體表面的相互作用。具體而言，離子束通過控制系統(tǒng)加速并聚焦，然后瞄準(zhǔn)待刻蝕的樣品表面。離子束在與樣品表面相撞時，會發(fā)生多種相互作用，包括散射、表面反射、電子激發(fā)和離子抑制等。其中，離子抑制是IBE刻蝕機的核心原理

離子束刻蝕機（IBE）產(chǎn)品信息

應(yīng)用方向：科研與教學(xué)

產(chǎn)品優(yōu)勢：負(fù)角度刻蝕降低反污染，熱態(tài)、冷態(tài)兩種中和系統(tǒng)，刻蝕腔體前后開門

產(chǎn)品配置：

★離子源種類：考夫曼離子源

★離子源口徑：Φ160mm/220mm

★中和方式：燈絲、冷態(tài)等離子體橋

★樣片數(shù)量及尺寸：1片Φ100mm/150mm樣品

★刻蝕材料：包括并不限于硅、石英、Ⅲ-Ⅴ族化合物、合金、陶瓷等。

★刻蝕腔體：高真空系統(tǒng)

★刻蝕不均勻性：±3%-±6%

★刻蝕速率：10-500nm/min（視具體材料與工藝）