應(yīng)用方向：科研與教學(xué)
產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：效率高+多功能；垂直濺射+傾斜共濺射
產(chǎn)品配置：
★樣片數(shù)量及尺寸：6片Ф2英寸（垂直濺射）+ 1片Ф4英寸（共濺射）
★濺射材料：金屬；非金屬；化合物等薄膜材料。
★濺射腔體：高真空系統(tǒng)。
★濺射不均勻性：≤±3%-±5％
★磁控靶：2-4支；可調(diào)角度；可調(diào)距離
★濺射方向：樣品下置（自上而下濺射）或 樣品上置（自下而上濺射）
★加熱：常規(guī)加熱，可選高溫加熱
★電源配置：射頻；直流；直流脈沖；直流偏壓
★清洗功能：可選配考夫曼離子源
★快速反應(yīng)濺射功能：可選配Speedflo
★膜厚監(jiān)控功能：可選配晶控膜厚在線監(jiān)測(cè)與終點(diǎn)控制
★操作模式：全自動(dòng)+半自動(dòng)控制
類似產(chǎn)品：MSP-300C；MSP-400B
選型參考：樣品在下（MSP-300B）；樣品在上（MSP-300BT）；配置考夫曼離子源（MSP-300BI/MSP-300BTI）
應(yīng)用方向：棒狀樣品批量生產(chǎn)
產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：棒狀樣品側(cè)壁鍍膜，立式設(shè)備
產(chǎn)品配置：
★樣片數(shù)量及尺寸：30-300根；Ф1mm～Ф30mm，L30mm～L200mm（依據(jù)靶尺寸和樣品尺寸定制）
★濺射材料：金屬；非金屬；化合物等薄膜材料。
★濺射腔體：高真空系統(tǒng)。
★濺射不均勻性：≤±5%-±8％
★磁控靶數(shù)量：2-4支矩形磁控靶
★磁控靶安裝形式：立式安裝
★樣品夾具：公轉(zhuǎn)+自轉(zhuǎn)
★加熱：常規(guī)加熱
★電源配置：射頻；直流
★清洗功能：可選配離子源清洗、射頻清洗、反濺清洗模式
★快速反應(yīng)濺射功能：可選配Speedflo
★膜厚監(jiān)控功能：可選配晶控膜厚在線監(jiān)測(cè)與終點(diǎn)控制
★操作模式：全自動(dòng)+半自動(dòng)控制
類似產(chǎn)品：片狀樣品批量鍍膜（MSP-5100C）
