碳化硅SiC器件參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)

陜西天士立科技有限公司/STD2000/碳化硅SiC器件參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)可以測(cè)試Si,SiC,GaN & IGBT、Mosfet、Diode、BJT、SCR等電子元器件的靜態(tài)直流參數(shù)和IV曲線

（如擊穿電壓V(BR)CES/V(BR)DSs、漏電流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、閾值電壓/VGE(th)、開啟電壓/VCE(on)、跨導(dǎo)/Gfe/Gfs、壓降/Vf、導(dǎo)通內(nèi)阻Rds(on)）。

測(cè)試種類覆蓋 7 大類別26分類，包括“二極管類”“三極管類（如BJT、MOSFET、IGBT）”

“保護(hù)類器件”“穩(wěn)壓集成類”“繼電器類”“光耦類”“傳感監(jiān)測(cè)類”

等品類的繁多的電子元器件

高壓源標(biāo)配1400V（選配2KV），高流源標(biāo)配100A（選配40A,200A,500A）

控制極/柵極電壓40V，柵極電流100mA

分辨率至1.5uV / 1.5pA，精度可至0.1%

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研發(fā)生產(chǎn) 半導(dǎo)體檢測(cè)·電學(xué)檢測(cè)·可靠性檢測(cè)·老化實(shí)驗(yàn)  各類儀器設(shè)備

一：規(guī)格&環(huán)境

1.1、產(chǎn)品信息

產(chǎn)品型號(hào)：STD2000

產(chǎn)品名稱：碳化硅SiC器件參數(shù)測(cè)試儀

1.2、物理規(guī)格

主機(jī)尺寸：深660*寬430*高210(mm)

主機(jī)重量：＜35kg

1.3、電氣環(huán)境

主機(jī)功耗：＜300W

海拔高度：海拔不超過 4000m；

環(huán)境要求：-20℃～60℃（儲(chǔ)存）、5℃～50℃（工作）；

相對(duì)濕度： 20%RH～75%RH (無(wú)凝露，濕球溫度計(jì)溫度 45℃以下)；

大氣壓力：86Kpa～106Kpa；

防護(hù)條件：無(wú)較大灰塵，腐蝕或爆炸性氣體，導(dǎo)電粉塵等；

電網(wǎng)要求：AC220V、±10%、50Hz±1Hz；

工作時(shí)間：連續(xù)；

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第二部分：應(yīng)用場(chǎng)景和產(chǎn)品特點(diǎn)

一、應(yīng)用場(chǎng)景

1、測(cè)試分析（功率器件研發(fā)設(shè)計(jì)階段的初始測(cè)試，主要功能為曲線追蹤儀）

2、失效分析（對(duì)失效器件進(jìn)行測(cè)試分析，查找失效機(jī)理。以便于對(duì)電子整機(jī)的整體設(shè)計(jì)和使用過程提出改善方案）

3、選型配對(duì)（在器件焊接至電路板之前進(jìn)行全部測(cè)試，將測(cè)試數(shù)據(jù)比較一致的器件進(jìn)行分類配對(duì)）

4、來(lái)料檢驗(yàn)（研究所及電子廠的質(zhì)量部（IQC）對(duì)入廠器件進(jìn)行抽檢/全檢，把控器件的良品率）

5、量產(chǎn)測(cè)試（可連接機(jī)械手、掃碼槍、分選機(jī)等各類輔助機(jī)械設(shè)備，實(shí)現(xiàn)規(guī)?；?、自動(dòng)化測(cè)試）

6、替代進(jìn)口（STD2000碳化硅SiC器件參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)可替代同級(jí)別進(jìn)口產(chǎn)品）

二、產(chǎn)品特點(diǎn)

1、程控高壓源10~1400V，提供2000V選配；

2、程控高流源1uA~100A，提供40A,200A,500A選配；

3、驅(qū)動(dòng)電壓10mV~40V

4、控制極電流10uA~100mA；

5、16位ADC，1M/S采樣速率；

6、自動(dòng)識(shí)別器件極性 NPN/PNP

7、曲線追蹤儀，四線開爾文連接保證加載測(cè)量的準(zhǔn)確

8、通過 RS232 接口連接校準(zhǔn)數(shù)字表，對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行校驗(yàn)

9、不同的封裝形式提供對(duì)應(yīng)的夾具和適配器（如TO220、SOP-8、DIP、SOT-23等等）

10、碳化硅SiC器件參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)能測(cè)很多電子元器件（如二極管、三極管、MOSFET、IGBT、可控硅、光耦、繼電器等等）；

11、碳化硅SiC器件參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)能實(shí)現(xiàn)曲線追蹤儀（如擊穿電壓V(BR)CES/V(BR)DSs、漏電流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、閾值電壓/VGE(th)、開啟電壓/VCE(on)、跨導(dǎo)/Gfe/Gfs、壓降/Vf、導(dǎo)通內(nèi)阻Rds(on) ）

12、結(jié)電容參數(shù)也可以測(cè)試，諸如Cka，Ciss，Crss，Coss；

13、脈沖電流自動(dòng)加熱功能，方便高溫測(cè)試，無(wú)需外掛升溫裝置；

14、Prober 接口、Handler 接口可選（16Bin），連接分選機(jī)效率1h/9000個(gè)；

15、碳化硅SiC器件參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)在各大電子廠的IQC、實(shí)驗(yàn)室有著廣泛的應(yīng)用；

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第三部分：產(chǎn)品介紹

3.1、產(chǎn)品介紹

STD2000碳化硅SiC器件參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)是由我公司技術(shù)團(tuán)隊(duì)結(jié)合碳化硅SiC器件參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)的多年經(jīng)驗(yàn)，以及眾多國(guó)內(nèi)外測(cè)試系統(tǒng)產(chǎn)品的熟悉了解后，自主開發(fā)設(shè)計(jì)的全新一代“碳化硅SiC器件參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)”。軟件及硬件均由團(tuán)隊(duì)自主完成。這就決定了這款產(chǎn)品的功能性和可靠性能夠得到持續(xù)完善和不斷的提升。

碳化硅SiC器件參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)脈沖信號(hào)源輸出方面，高壓源標(biāo)配1400V（選配2KV），高流源標(biāo)配100A（選配40A,200A,500A）柵極電壓40V，柵極電流100mA，分辨率至1uV / 1.5pA，精度可至0.1%。程控軟件基于Lab VIEW平臺(tái)編寫，填充式菜單界面。采用帶有開爾文感應(yīng)結(jié)構(gòu)的測(cè)試插座，自動(dòng)補(bǔ)償由于系統(tǒng)內(nèi)部及測(cè)試電纜長(zhǎng)度引起的任何壓降，保證測(cè)試結(jié)果準(zhǔn)確可靠。產(chǎn)品可測(cè)試 Si, SiC, GaN 材料的 IGBTs, DIODEs, MOSFETs, BJTs, SCRs 等7大類26分類的電子元器件。涵蓋電子產(chǎn)品中幾乎所有的常見器件。無(wú)論電壓電流源還是功能配置都有著擴(kuò)展性。

產(chǎn)品為桌面放置的臺(tái)式機(jī)結(jié)構(gòu)，由測(cè)試主機(jī)和程控電腦兩大部分組成。外掛各類夾具和適配器，還能夠通過Prober 接口、Handler 接口可選（16Bin）連接分選機(jī)和機(jī)械手建立工作站，實(shí)現(xiàn)快速批量化測(cè)試。通過軟件設(shè)置可依照被測(cè)器件的參數(shù)等級(jí)進(jìn)行自動(dòng)分類存放。能夠應(yīng)對(duì)“來(lái)料檢驗(yàn)”“失效分析”“選型配對(duì)”“量產(chǎn)測(cè)試”等不同場(chǎng)景。

碳化硅SiC器件參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)產(chǎn)品的可靠性和測(cè)試數(shù)據(jù)的重復(fù)性以及測(cè)試效率都有著非常優(yōu)秀的表現(xiàn)。創(chuàng)新的“點(diǎn)控式夾具”讓操作人員在夾具上實(shí)現(xiàn)一點(diǎn)即測(cè)。操作更簡(jiǎn)單效率更高。測(cè)試數(shù)據(jù)可保存為EXCEL文本，方便快捷的完成曲線追蹤儀。

3.2、人機(jī)界面（STD2000碳化硅SiC器件參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)）

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第四部分：功能配置

4.1、配置選項(xiàng)

STD2000碳化硅SiC器件參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)的功能配置如下

4.2、適配器選型

STD2000碳化硅SiC器件參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)的適配器有如下

4.3、測(cè)試種類及參數(shù)

STD2000碳化硅SiC器件參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)的測(cè)試種類和參數(shù)如下

(1)二極管類：二極管  Diode

Kelvin，Vrrm，Irrm，Vf，△Vf，△Vrrm，Cka，Tr（選配）；

(2)二極管類：穩(wěn)壓二極管  ZD（Zener Diode）

Kelvin，Vz，lr，Vf，△Vf，△Vz，Roz，lzm，Cka；

(3)二極管類：穩(wěn)壓二極管  ZD（Zener Diode）

Kelvin、Vz、lr、Vf、△Vf、△Vz、Roz、lzm、Cka；

(4)二極管類：三端肖特基二極管SBD（SchottkyBarrierDiode）

Kelvin 、Type_ident 、Pin_test 、Vrrm、Irrm、Vf、△Vf、V_Vrrm、I_Irrm、△Vrrm、Cka、Tr（選配）；

(5)二極管類：瞬態(tài)二極管  TVS

Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Vf、△Vf、△Vrrm 、Cka ；

(6)二極管類：整流橋堆

Kelvin 、Vrrm、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm 、Cka；

(7)二極管類：三相整流橋堆

Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm、Cka；

(8)三極管類：三極管

Kelvin 、Type_ident、Pin_chk 、V(br)cbo 、V(br)ceo 、V(br)ebo 、Icbo、lceo、Iebo、Hfe、Vce(sat)、Vbe(sat)、△Vsat、△Bvceo 、△Bvcbo 、Vbe、lcm、Vsd 、Ccbo 、Cces、Heater、Tr （選配）、Ts（選配）、Value_process；

(9) 三極管類：雙向可控硅

Kelvin、Type_ident、Qs_chk、Pin_test、Igt、Vgt、Vtm、Vdrm、Vrrm、Vdrm rrm、Irrm、 Idrm、Irrm_drm、Ih、IL、C_vtm、△Vdrm、△Vrrm、△Vtm；

(10)三極管類：?jiǎn)蜗蚩煽毓?/span>

Kelvin、 Type_ident、 Qs_chk、 Pin test、 lgt、 Vgt、 Vtm、 Vdrm Vrrm、 IH、IL、△Vdrm△Vrrm、Vtm；

(11)三極管類：MOSFET

Kelvin 、Type_ident、Pin_test、VGS(th) 、V(BR)Dss 、Rds(on) 、Bvds_rz、△Bvds、Gfs、Igss、ldss 、Idss zero 、Vds(on)、 Vsd、Ciss、Coss、Crss、Bvgs 、ld_lim 、Heater、Value_proces、△Rds(on) ；

(12)三極管類：雙MOSFET

Kelvin、 Pin_chk、Ic_fx_chk、 Type_ident、 Vgs1(th)、 VGs2(th)、 VBR)Dss1、 VBR)Dss2、 Rds1(on)、 Rds2(on)、 Bvds1 rz、 Bvds2_rz、 Gfs1、Gfs2、lgss1、lgss2、Idss1、Idss2、Vsd1、Vsd2、Ciss、Coss、Crss；

(13)三極管類：JFET

Kelvin、VGS(off )、V(BR)Dss、Rds(on)、Bvds_rz、Gfs、lgss、 Idss(off)、 Idss(on)、 vds(on)、 Vsd、Ciss、Crss、Coss；

(14)三極管類：IGBT

Kelvin、VGE(th)、V(BR)CES、Vce(on)、Gfe、lges、 lces、Vf、Ciss、Coss、Crss；

(15)三極管類：三端開關(guān)功率驅(qū)動(dòng)器

Kelvin、Vbb(AZ)、 Von(CL)、 Rson、Ibb(off)、Il(lim)、Coss、Fun_pin_volt；

(16)三極管類：七端半橋驅(qū)動(dòng)器

Kelvin、lvs(off)、lvs(on)、Rson_h、Rson_l、lin、Iinh、ls_Volt、Sr_volt；

(17)三極管類：高邊功率開關(guān)

Kelvin、Vbb(AZ)、Von(CL)、Rson、Ibb(off)、ll(Iim)、Coss、Fun_pin_volt；

(18)保護(hù)類：壓敏電阻

Kelvin、Vrrm、 Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、 △Vr ;

(19)保護(hù)類：?jiǎn)谓M電壓保護(hù)器

Kelvin 、Vrrm、Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、△Vr；

(20)保護(hù)類：雙組電壓保護(hù)器

Kelvin、Vrrm、Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、△Vr；

(21)穩(wěn)壓集成類：三端穩(wěn)壓器

Kelvin 、Type_ident 、Treg_ix_chk 、Vout 、Reg_Line、Reg_Load、IB、IB_I、Roz、△IB、VD、ISC、Max_lo、Ro、Ext _Sw、Ic_fx_chk；

(22)穩(wěn)壓集成類：基準(zhǔn)IC（TL431）

Kelvin、Vref、△Vref、lref、Imin、loff、Zka、Vka；

(23)穩(wěn)壓集成類：四端穩(wěn)壓

Kelvin、Type_ident、Treg_ix_chk、Vout、Reg_Line、Reg_Load、IB、IB_I、Roz、△lB、VD、Isc、Max_lo、Ro、Ext_Sw、Ic_fx_chk；

(24)穩(wěn)壓集成類：開關(guān)穩(wěn)壓集成器

選配；

(25)繼電器類：4腳單刀單組、5腳單刀雙組、8腳雙組雙刀、8腳雙組四刀、固態(tài)繼電器

Kelvin、Pin_chk、Dip6_type_ident、Vf、Ir、Vl、Il、Ift、Ron、Ton（選配）、Toff（選配）；

(26)光耦類：4腳光耦、6腳光耦、8腳光耦、16腳光耦

Kelvin、Pin_chk、Vf、Ir、Bvceo、Bveco、Iceo、Ctr、Vce(sat)、Tr、Tf；

(27)傳感監(jiān)測(cè)類：

電流傳感器（ACS712XX系列、CSNR_15XX系列）（選配）；

霍爾器件（MT44XX系列、A12XX系列）（選配）；

電壓監(jiān)控器（選配）；

電壓復(fù)位IC（選配）；

曲線追蹤儀

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第五部分：性能指標(biāo)

STD2000碳化硅SiC器件參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)的性能指標(biāo)如下

5.1、電流/電壓源（VIS）自帶VI測(cè)量單元

（1）加壓(FV)

量程±40V分辨率625uV精度±0.1% 設(shè)定值±3mV

量程±20V分辨率320uV精度±0.1% 設(shè)定值±3mV

量程±10V分辨率160uV精度±0.1% 設(shè)定值±3mV

量程±5V分辨率80uV精度±0.1% 設(shè)定值±2mV

量程±2V分辨率32uV精度±0.1% 設(shè)定值±2mV

（2）加流(FI)

量程±40A 分辨率625uA精度±0.5% 設(shè)定值±30mA

量程±4A 分辨率62.5uA精度±0.2% 設(shè)定值±2mA

量程±400mA分辨率6.25uA精度±0.1% 設(shè)定值±500uA

量程±40mA分辨率625nA精度±0.1% 設(shè)定值±50uA

量程±4mA分辨率62.5nA精度±0.1% 設(shè)定值±5uA

量程±400uA分辨率6.25nA精度±0.1% 設(shè)定值±500nA

量程±40uA分辨率625pA精度±0.1% 設(shè)定值±50nA

量程±4uA分辨率62.5pA精度±0.1% 設(shè)定值±5nA

說(shuō)明：電流大于1.5A自動(dòng)轉(zhuǎn)為脈沖方式輸出，脈寬范圍：300us-1000us可調(diào)

（3）電流測(cè)量(MI)

量程±40A分辨率1.22mA精度±1% 讀數(shù)值±20mA

量程±4A分辨率122uA精度±0.5% 讀數(shù)值±2mA

量程±400mA分辨率12.2uA精度±0.5% 讀數(shù)值±200uA

量程±40mA分辨率1.22uA精度±0.5% 讀數(shù)值±20uA

量程±4mA分辨率122nA精度±0.5% 讀數(shù)值±2uA

量程±400uA分辨率12.2nA精度±0.5% 讀數(shù)值±200nA

量程±40uA分辨率1.22nA精度±1% 讀數(shù)值±20nA

（4）電壓測(cè)量(MV)

量程±40V分辨率1.22mV精度±1% 讀數(shù)值±20mV

量程±20V分辨率122uV 精度±0.5% 讀數(shù)值±2mV

量程±10V分辨率12.2uV 精度±0.5% 讀數(shù)值±200uV

量程±5V分辨率1.22uV 精度±0.5% 讀數(shù)值±20uV

5.2、數(shù)據(jù)采集部分（VM）

16位ADC，1M/S采樣速率

（1）電壓測(cè)量(MV)

量程±2000V分辨率30.5mV精度±0.5%讀數(shù)值±200mV

量程±1000V分辨率15.3mV精度±0.2%讀數(shù)值±20mV

量程±100V分辨率1.53mV精度±0.1%讀數(shù)值±10mV

量程±10V分辨率153uV精度±0.1%讀數(shù)值±5mV

量程±1V分辨率15.3uV精度±0.1%讀數(shù)值±2mV

量程±0.1V分辨率1.53uV精度±0.2%讀數(shù)值±2mV

（2）漏電流測(cè)量(MI)

量程±100mA分辨率1.53uA精度±0.2%讀數(shù)值±100uA

量程±10mA分辨率153nA精度±0.1%讀數(shù)值±3uA

量程±1mA分辨率15.3nA精度±0.1%讀數(shù)值±300nA

量程±100uA分辨率1.53nA精度±0.1%讀數(shù)值±100nA

量程±10uA分辨率153pA精度±0.1%讀數(shù)值±20nA

量程±1uA 分辨率15.3pA精度±0.5%讀數(shù)值±5nA

量程±100nA分辨率1.53pA精度±0.5%讀數(shù)值±0.5nA

（3）電容容量測(cè)量(MC)

量程6nF分辨率10PF精度±5%讀數(shù)值±50PF

量程60nF分辨率100PF精度±5%讀數(shù)值±100PF

5.3、高壓源（HVS）(基本)12位DAC

（1）加壓(FV)

量程2000V/10mA分辨率30.5mV精度±0.5%設(shè)定值±500mV

量程200V/10mA分辨率30.5mV精度±0.2%設(shè)定值±50mV

量程40V/50mA分辨率30.5mV精度±0.1%設(shè)定值±5mV

（2）加流(FI)：

量程10mA分辨率3.81uA 精度±0.5%設(shè)定值±10uA

量程2mA分辨率381nA精度±0.5%設(shè)定值±2uA

量程200uA分辨率38.1nA精度±0.5%設(shè)定值±200nA

量程20uA分辨率3.81nA精度±0.5%設(shè)定值±20nA

量程2uA分辨率381pA精度±0.5%設(shè)定值±20nA

STD2000碳化硅SiC器件參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)能測(cè)很多電子元器件（如二極管、三極管、MOSFET、IGBT、可控硅、光耦、繼電器等等）產(chǎn)品廣泛的應(yīng)用在院所高校、封測(cè)廠、電子廠.....