產(chǎn)ICP元素光譜分析儀ICP2060T可用于地質(zhì)、冶金、稀土及磁材料、環(huán)境、醫(yī)藥衛(wèi)生、生物、海洋、石油、化工新型材料、核工業(yè)、農(nóng)業(yè)、食品商檢、水質(zhì)等各領(lǐng)域及學(xué)科的樣品分析。可以快速、準(zhǔn)確地檢測(cè)從微量到常量約70種元素。產(chǎn)ICP元素光譜分析儀技術(shù)指標(biāo)參照家標(biāo)準(zhǔn)《 JJG 768-2005 發(fā)射光譜儀檢定規(guī)程》執(zhí)行。
ICP2060T技術(shù)指標(biāo):
固態(tài)射頻發(fā)生器,水冷,功率范圍750W-1600W。
帶有自動(dòng)匹配功能。
鍵自動(dòng)點(diǎn)火,帶有檢查氣路以及報(bào)錯(cuò)功能。
光室?guī)в泻銣叵到y(tǒng),32±0.1℃。
等離子火焰可以前后、上下移動(dòng),進(jìn)行觀測(cè)位置優(yōu)化。
詳細(xì)參數(shù)如下表:
光柵刻線(xiàn) | 光柵:2400刻線(xiàn) | 光柵:3600刻線(xiàn) | 光柵:4320刻線(xiàn) | |
波長(zhǎng) | 范圍 | 190nm-800nm | 190nm-500nm | 190nm-420nm |
示值誤差 | ±0.03nm | ±0.03nm | ±0.03nm | |
重復(fù)性 | ≦0.005nm | ≦0.005nm | ≦0.005nm | |
小光譜帶寬 | Mn 257.610nm 半高寬≦0.030nm | Mn 257.610nm 半高寬≦0.015nm | Mn 257.610nm 半高寬≦0.007nm | |
檢出限/(μg/L) | Zn(213.856nm)≦ 0.003 Ni(231.604nm)≦ 0.010 Mn(257.610nm)≦ 0.002 Cr(267.716nm)≦ 0.007 Cu(324.754nm)≦ 0.007 Ba(455.403nm)≦ 0.001 | Zn(213.856nm)≦ 0.003 Ni(231.604nm)≦ 0.010 Mn(257.610nm)≦ 0.002 Cr(267.716nm)≦ 0.007 Cu(324.754nm)≦ 0.007 Ba(455.403nm)≦ 0.001 | Zn(213.856nm)≦ 0.003 Ni(231.604nm)≦ 0.010 Mn(257.610nm)≦ 0.002 Cr(267.716nm)≦ 0.007 Cu(324.754nm)≦ 0.007
| |
重復(fù)性 | 3號(hào)溶液 RSD≤1.5% | 3號(hào)溶液 RSD≤1.5(%) | 3號(hào)溶液 RSD≤1.5(%)) | |
穩(wěn)定性 | 3號(hào)溶液 RSD≤2% | 3號(hào)溶液 RSD≤2% | 3號(hào)溶液 RSD≤2% |
ICP2060T工作環(huán)境要求
不要將儀器直接安裝在窗戶(hù)邊或者門(mén)邊,避免對(duì)流、灰塵、腐蝕性氣體及振動(dòng)。
請(qǐng)遠(yuǎn)離強(qiáng)電磁場(chǎng)干擾。
環(huán)境溫度:20~25℃。
工作濕度:≤ 70%。
儀器應(yīng)放置在平穩(wěn)的工作臺(tái)上,無(wú)振動(dòng),儀器上方應(yīng)有排風(fēng)系統(tǒng),儀器附近應(yīng)無(wú)強(qiáng)光直射及強(qiáng)
烈電磁場(chǎng)干擾,環(huán)境中應(yīng)無(wú)強(qiáng)烈腐蝕性氣體。
性能描述:
廠家介紹
是專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)ROHS檢測(cè)儀,氣相色譜質(zhì)譜聯(lián)用儀,鍍層測(cè)厚儀,電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀,ROHS分析儀,X射線(xiàn)鍍層測(cè)厚儀,,ROHS測(cè)量儀,液相色譜儀,ROHS2.0分析儀,XRF,X熒光光譜儀,汽油中硅含量檢測(cè)儀, ROHS檢測(cè)儀器,手持式合金分析儀等,涉及的儀器設(shè)備主要有EDX1800B,Thick800A,Thick8000,ICP2060T,GCMS6800,ICPMS2000等。