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智能型雙溫區(qū)等離子化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(型號:BTF-1200C-II-AS-500A) 實驗室臭氧發(fā)生機

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更新時間:2023-06-07 09:51:16瀏覽次數(shù):274次

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主要特點:一、此設(shè)備的高溫真空電阻爐溫度控制系統(tǒng)采用經(jīng)典的閉環(huán)負反饋控制系統(tǒng),控溫儀表選用智能型程序溫度調(diào)節(jié)儀表控溫,電力調(diào)制器控制;負載采用小電壓大電流控制,從而大大提高了發(fā)熱元件的壽命,測溫元件采用K型熱偶

主要特點:

一、此設(shè)備的高溫真空電阻爐溫度控制系統(tǒng)采用經(jīng)典的閉環(huán)負反饋控制系統(tǒng),控溫儀表選用智能型程序溫度調(diào)節(jié)儀表控溫,電力調(diào)制器控制;負載采用小電壓大電流控制,從而大大提高了發(fā)熱元件的壽命,測溫元件采用 K 型熱偶。30段可編程控溫,PID參數(shù)自整定,操作界面為10寸工控電腦,內(nèi)置PLC控制程序,可將溫控系統(tǒng)、滑軌爐滑動(時間和距離)設(shè)定為程序控制。同時系統(tǒng)設(shè)置了超溫、 欠溫、斷偶報警保護功能,大大降低了對操作人員經(jīng)驗的要求,關(guān)鍵電氣元件采用優(yōu)質(zhì)的進口產(chǎn)品,做到高性能、免維護,提高了設(shè)備質(zhì)量的可靠性。

二、PECVD是借助于輝光放電等方法產(chǎn)生等離子體,輝光放電等離子體中:電子密度高109-1012cm3電子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出10-100倍,使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng),從而實現(xiàn)薄膜材料生長的一種新的制備技術(shù)。通過反應(yīng)氣態(tài)放電,有效地利用了非平衡等離子體的反應(yīng)特征,從根本上改變了反應(yīng)體系的能量供給方式,低溫?zé)岬入x子體化學(xué)氣相沉積法具有氣相法的所有優(yōu)點,工藝流程簡單。

三、配有可加熱到400℃的前端預(yù)加熱爐,輔助固態(tài)源蒸發(fā),后端為雙溫區(qū) ,溫度控制精確,操作簡便,對于氣相沉積,二維材料,等離子處理生長工藝非常合適,也同樣適用于要求快速升降溫的CVD實驗。

技術(shù)參數(shù)

預(yù)熱器參數(shù)

工作溫度:400℃

Z高溫度:1100℃

Z快升溫速率:≤30℃/min

推薦升溫速率:10℃/min

控溫方式:智能化30段可編程控制

工作電壓:AC220V

額定功率:800W

控溫精度:±1℃

加熱元件:電阻絲

加熱區(qū)參數(shù):

加熱元件:電阻絲(Fe-Cr-Al Alloy doped by Mo)
加熱區(qū)長度:400mm(200+200mm)
恒溫區(qū)長度: 200mm (100+100mm)(±1℃)
工作溫度:1100℃
Z高溫度:1200℃
控溫方式:模糊PID控制和自整定調(diào)節(jié),智能化30段可編程控制,具有超溫和斷偶報警功能
控溫精度:±1℃

Z大升降溫速率:≤30℃/min

爐管:高純度石英管Φ25506080100150x2000mm (管徑可選)

標準配件:石英管1支,莫來石管堵2對,不銹鋼法蘭1套,氟膠密封圈2套,高溫手套1副,坩堝鉤1支;

尺寸約:2000×600×1500 mm(長、寬、高)

備注:可選配單溫區(qū)、雙溫區(qū)、三溫區(qū)等加熱區(qū)。

氣路系統(tǒng)參數(shù):

質(zhì)量流量計參考量程(N2):100sccm、200sccm、500sccm (量程可選)

準確度:±1.5%

線性:±0.5~1.5%

重復(fù)精度:±0.2%

響應(yīng)時間:氣特性:1~4 Sec,電特性:10 Sec

工作壓差范圍:0.1~0.5 MPa

Z大壓力:3MPa

接口:Φ6,1/4''

顯示:4位數(shù)字顯示

工作環(huán)境溫度:5~45高純氣體

內(nèi)外雙拋不銹鋼管:Φ6

壓力真空表:-0.1~0.15 MPa, 0.01 MPa/格

截止閥:Φ6

連接頭類型:雙卡套不銹鋼接頭。

備注:可選配一路、兩路、三路、四路等以上質(zhì)量流量計。

低真空系統(tǒng)參數(shù):

國產(chǎn)油泵型號:BSV-10

抽速:10m3/h

極限真空度:5*10-1pa

電源:220v 50hz

電機功率:0.4kw

進排氣連接口:KF25

用油量:1.1L

電機轉(zhuǎn)速:1440rpm

工作環(huán)境溫度:5-40℃

噪音:≤56db

電阻真空計參數(shù):

1.配用規(guī)管:ZJ-52T電阻規(guī),

2.測量范圍: 10 5 ~10 -1 Pa,

3.測量路數(shù): 1路

4.控制范圍: 5×10 3 ~5×10 -1 Pa,

5.控制方式:繼電器觸點輸出,負載能力 AC220V/3A (或DC28V/3A)無感負載,

6.電源: 90-260V/50Hz或220V ± 10% 50Hz,

7.功耗: 20W

射頻源主要參數(shù):

信號頻率:13.56 MHz±0.005%

功率輸出范圍:0-500W

Z大反射功率:100W

射頻輸出接口:50 Ω, N-type, female

功率穩(wěn)定性:≤5W

諧波分量:≤-50dbc

供電電壓:單相交流(187V-253V) 頻率50/60HZ

整機效率:>=70%

功率因素:>=90%

冷卻方式:強制風(fēng)冷

備注:可根據(jù)腔體大小選擇射頻源功率。


智能型雙溫區(qū)等離子化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(型號:BTF-1200C-II-A

主要特點:一、此設(shè)備的高溫真空電阻爐溫度控制系統(tǒng)采用經(jīng)典的閉環(huán)負反饋控

三溫區(qū)智能型等離子體化學(xué)沉積系統(tǒng)(BTF-1200C-III-500A

主要特點:此款智能型等離子體增強化學(xué)沉積系統(tǒng)的高溫真空爐加熱腔體采用進

連續(xù)進出料等離子體增強回轉(zhuǎn)設(shè)備-BTF-1200C-RP-PECVD

主要特點該款設(shè)備是全自動Plasma增強CVD系統(tǒng)(PECVD)

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