無接觸式電阻率型號(hào)厚度綜合測(cè)試儀HS-RW-200

產(chǎn)品介紹：

HS-RW-200型無接觸式電阻率型號(hào)厚度綜合測(cè)試儀是基于渦流測(cè)試技術(shù)、電容測(cè)試技術(shù)，能夠?qū)Π雽?dǎo)體晶片進(jìn)行無接觸、無損傷的電阻率、型號(hào)以及厚度測(cè)試，綜合測(cè)試大大節(jié)省測(cè)試時(shí)間。

無接觸式電阻率型號(hào)厚度綜合測(cè)試儀-產(chǎn)品特點(diǎn)

■采用渦流法測(cè)試晶片電阻率

■采用電容法測(cè)試晶片厚度

■無接觸、無損傷快速測(cè)試

■測(cè)試前無需表面處理

■特別對(duì)于多晶，能夠有效避免晶界對(duì)測(cè)試的影響

■電阻率測(cè)試范圍：0.001-1-20 ohm.cm

■厚度測(cè)試范圍：200-1200um

無接觸式電阻率型號(hào)厚度綜合測(cè)試儀-技術(shù)指標(biāo)

• 晶片可測(cè)量電阻率范圍：0.001-1-2Ohm.cm
   
• 晶片可測(cè)量厚度范圍：200-1200um
   
• 測(cè)量時(shí)間：1Point/s
   
• 晶片直徑：40-200mm
   
• *使用溫度：23℃±3
   
• 濕度：≤80%
   
• 氣壓：86-106kPa
   
• 使用電壓：220±10V
   
• 頻率：50±3Hz
   
• 功率消耗：≤50W
   
• 尺寸（LxH）：410x310x270mm   重量：15kg

典型客戶
美國(guó)，歐洲，亞洲及國(guó)內(nèi)太陽(yáng)能及半導(dǎo)體客戶。