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上海雋思實驗儀器有限公司
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快速熱處理退火爐,半導體RTP快速退火 爐

參  考  價面議
具體成交價以合同協(xié)議為準

產(chǎn)品型號

品       牌雋思

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地上海

更新時間:2021-03-22 10:04:35瀏覽次數(shù):5350次

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測量范圍 1000 測量精度 1
外形尺寸 658mm 用途 半導體,硅片工藝
重量 153kg
快速熱處理退火爐,半導體RTP快速退火 爐可用于硅及其他化合物材料離子注入后的退火,硅化物形成,歐姆接觸制備以及快速氧化,快速氮化等方面。該設(shè)備具有很好的長時間工作穩(wěn)定性以及快速升降溫,慢速升降溫功能

快速熱處理退火爐,半導體RTP快速退火 爐簡介

快速退火爐(RTP)近年來得到越來越廣泛的應(yīng)用。可用于硅及其他化合物材料離子注入后的退火,硅化物形成,歐姆接觸制備以及快速氧化,快速氮化等方面。該設(shè)備具有很好的長時間工作穩(wěn)定性以及快速升降溫,慢速升降溫功能,采用三回路閉環(huán)溫度控制,精確的溫度控制部件可適用于特殊工藝要求,工藝重復性高,也可用于鐵電膜的制備以及各種半導體材料CVD的熱處理。

JS-RTP系列快速熱處理退火為我公司根據(jù)客戶需求專業(yè)定制的熱處理設(shè)備,半導體RTP快速退火爐主要用于:快速燒結(jié)快速退火工藝。具有溫度均勻、控制穩(wěn)定等特點,觸摸屏操作方式(設(shè)備小巧,節(jié)約空間)

 

 

快速熱處理退火爐,半導體RTP快速退火 爐主要技術(shù)參數(shù)

1、外型形式:臺式

2、樣品尺寸:2-8英寸

3、外部爐膛:合金鍍金爐膛

4、內(nèi)部爐膛:優(yōu)質(zhì)石英材質(zhì)、可拆下清洗,有進、出氣接口

5、加熱材質(zhì):紅外線燈管加熱

6、顯示:觸摸屏或電腦式

7、溫度范圍:300-1000℃ 

8、控溫精度:±5

9、升溫速率:10℃-50/S可調(diào)

10、降溫速率:10℃-50℃/S不可調(diào)

11、降溫方式:水冷(冷水機或冷水管道+氣冷)

12、工藝氣體:三路,一路氮氣、一路空氣、一路氧氣,配備質(zhì)量流量計,氣體流量動調(diào)節(jié)
13、真空度:可達0.05torr(可選配)
14、真空系統(tǒng):進口無油真空泵
15、保護系統(tǒng):超溫保護,流量保護,計時控制,缺水報警等。

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